存儲器訪問調度的應用實現(xiàn)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、現(xiàn)代處理器性能以60%的年增長率飛速發(fā)展,相比之下,處于不同工藝下的DRAM的時滯和帶寬的改進卻分別只有7%和15~20%;因此,存儲器性能已經成為計算機系統(tǒng)性能提升的瓶頸。同時,隨著集成電路設計已經進入深亞微米時代,集成度不斷增強,各種便攜式電子產品的發(fā)展使得功耗問題日益受到設計人員的重視——事實上系統(tǒng)中絕大多數(shù)功耗是由存儲器而非處理器消耗掉,而DRAM則又是占用了存儲器消耗中的主要部分。 本文從研究現(xiàn)代DRAM技術入手,分析

2、了各種存儲器訪問調度算法的特點與適用性,著眼于SDR-SDRAM技術,并結合了新型AMBAAXI總線的可重排序等特性,提出一種存儲器訪問動態(tài)調度器(DSAS),最終將之實現(xiàn)為AXI總線上的存儲器控制器。擁有DSAS的AXISDRAM控制器,能夠對AXI總線上傳來的地址和數(shù)據(jù)首先進優(yōu)先級分類,并根據(jù)所存儲的之前已訪問的信息、目前正在進行以及即將進行的訪問信息,動態(tài)地調度SDRAM的存取,改變SDRAM的Precharge策略,從而減少SD

3、RAM中費時比較長的Precharge時間,有利于提高總線的吞吐率;與此同時,盡量地減少了activebank的總體數(shù)目和時間,以期有效降低SDRAM的功耗。 文中同時給出了模塊化可配置的自動驗證方案。利用Synopsys公司的驗證工具VIP搭建了一個典型AXI系統(tǒng),將存儲器控制器集成到系統(tǒng)中,對所要實現(xiàn)的基本功能做了驗證,并對結果進行了深入的研究和分析:結果表明,使用DSAS的存儲器控制器,可以很好的隱藏SDRAM的Prech

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