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1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文摻雜多晶硅電阻值穩(wěn)定性的改善姓名:李鍇申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):材料工程指導(dǎo)教師:吳曉京20070430插圖目錄圖11夏普第八代液晶面板及龜山工廠圖12LCD液晶面板等效電路圖13多晶硅電容、電阻剖面圖圖l4多晶硅電容分布圖圖l5多晶硅電阻分布圖圖21化學(xué)氣相淀積的五個(gè)主要的步驟圖22當(dāng)CVD反應(yīng)為表面反應(yīng)限制時(shí),硅片表面擴(kuò)教的情形反應(yīng)氣體分子從主氣流里經(jīng)邊界層往12圖23當(dāng)CVD反應(yīng)為擴(kuò)散限制時(shí),反應(yīng)氣體分子從主氣流
2、里經(jīng)邊界層往硅片表面擴(kuò)散的情形圖2_4淀積速率與溫度之間的關(guān)系曲線圖25硅烷濃度對(duì)多晶硅淀積速率的影響圖26LPCVD晶片傳送系統(tǒng)示意圖圖27LPCVD反應(yīng)室溫度控制系統(tǒng)邏輯圖圖28CASCADE模式原理圖圖29P1/11控制圖圖210D2控制圖圖211LPCVD壓力控制系統(tǒng)示意圖圖212LPCVD壓力測(cè)量系統(tǒng)圖圖213LPCVD反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)示意圖圖214LPCVD反應(yīng)過程圖圖31多晶硅電阻阻值分布圖圖32同一爐多晶硅控片電阻阻值分
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