LED封裝缺陷分析及非接觸在線檢測(cè).pdf

1、隨著半導(dǎo)體發(fā)光材料研究的不斷深入及LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料(如熒光粉和氮化物晶體)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用，白光LED技術(shù)已日趨成熟，發(fā)光效率大幅提高，LED作為普通照明光源的應(yīng)用指日可待。價(jià)格昂貴是制約LED照明光源普及的主要因素，而LED芯片的封裝是LED成品生產(chǎn)的主要成本源之一。因此，發(fā)光二極管的封裝測(cè)試是半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展與產(chǎn)業(yè)推廣急需解決的關(guān)鍵技術(shù)。
　　 目前，針對(duì)LED的檢測(cè)主要集中在封裝前及封裝完成后進(jìn)行，而對(duì)于LE

2、D芯片在封裝過(guò)程中存在的缺陷(如重復(fù)焊接、芯片電極氧化等)，現(xiàn)在尚無(wú)很好的檢測(cè)技術(shù)。研究LED封裝過(guò)程中缺陷的成因及針對(duì)LED封裝缺陷的檢測(cè)方法具有重大意義，不僅可以從整體上延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命、提高產(chǎn)品質(zhì)量，還可以使存在缺陷的LED芯片不進(jìn)入后續(xù)生產(chǎn)工序，降低生產(chǎn)成本。本文以一種典型的LED封裝結(jié)構(gòu)為研究對(duì)象，介紹了LED封裝缺陷的成因及檢測(cè)方法。從LED封裝缺陷產(chǎn)生的原因、檢測(cè)方法兩個(gè)方面開(kāi)展了深入研究，取得了有價(jià)值的結(jié)果。
　

3、　 論文主要研究工作如下：
　　 ①LED封裝過(guò)程中缺陷(如重復(fù)焊接、芯片電極氧化等)產(chǎn)生原因、機(jī)理及檢測(cè)方法的研究
　　 介紹了LED封裝過(guò)程中幾種缺陷的成因，分析了封裝缺陷對(duì)LED光電特性的影響。根據(jù)實(shí)際LED壓焊后所處狀態(tài)，確定針對(duì)封裝缺陷的檢測(cè)方法，并分析了該檢測(cè)方法的可行性。
　　 ②光源的選取、光源驅(qū)動(dòng)電路及光路設(shè)計(jì)
　　 針對(duì)檢測(cè)對(duì)象的特征，分析了光源選取要求。在分析幾種光源特性的基礎(chǔ)上，

4、結(jié)合實(shí)際檢測(cè)中對(duì)光源的要求確定了檢測(cè)光源——貼片式大功率白光LED。根據(jù)所選光源的特性及實(shí)際檢測(cè)要求設(shè)計(jì)了光源驅(qū)動(dòng)電路；確定了聚光透鏡參數(shù)，并設(shè)計(jì)了光學(xué)系統(tǒng)。
　　 ③分析前端噪聲來(lái)源，研究提高信噪比的方法(包括磁路、光路和電路)，提高系統(tǒng)抗噪能力
　　 分析了選取磁芯要求，結(jié)合實(shí)際待檢測(cè)LED所處的閉合支架結(jié)構(gòu)和檢測(cè)要求，設(shè)計(jì)了磁芯結(jié)構(gòu)。分析了前端噪聲的來(lái)源，根據(jù)磁芯結(jié)構(gòu)對(duì)相對(duì)磁導(dǎo)率的影響，設(shè)計(jì)了抗噪性能強(qiáng)的互感磁芯線