led芯片封裝缺陷檢測(cè)方法

1、LED芯片封裝缺陷檢測(cè)方法摘要：摘要：引腳式LED芯片封裝工藝中封裝缺陷不可避免。基于pn結(jié)的光生伏特效應(yīng)和電子隧穿效應(yīng)，分析了一種封裝缺陷對(duì)LED支架回路光電流的影響。利用電磁感應(yīng)定律對(duì)LED支架回路光電流進(jìn)行非接觸檢測(cè)，得到LED芯片功能狀態(tài)及芯片電極與引線支架問(wèn)的電氣連接情況，并對(duì)檢測(cè)精度的影響因素進(jìn)行分析。實(shí)驗(yàn)表明，該方法具有高檢測(cè)信噪比，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)封裝過(guò)程LED芯片功能狀態(tài)及封裝缺陷的檢測(cè)。計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果較好吻合。深圳市眾

2、旺星光電科技有限公司奉行“求實(shí)創(chuàng)新、嚴(yán)格高效、客戶滿意”的經(jīng)營(yíng)方針，誠(chéng)信為本，為用戶提供一流產(chǎn)品、一流服務(wù)的經(jīng)營(yíng)理念，愿與新老客戶共同努力，攜手發(fā)展，為推動(dòng)世界光電顯示行業(yè)加速發(fā)展而奮斗！為中國(guó)的照明事業(yè)添光加彩。黃生：15986655571、QQ：154327039關(guān)鍵詞：關(guān)鍵詞：LED芯片；封裝缺陷檢測(cè)；pn結(jié)光生伏特效應(yīng)；電子隧穿效應(yīng)；非金屬膜層LED(Lightemittingdiode)由于壽命長(zhǎng)、能耗低等優(yōu)點(diǎn)被廣泛地應(yīng)用于指

3、示、顯示等領(lǐng)域?？煽啃浴⒎€(wěn)定性及高出光率是LED取代現(xiàn)有照明光源必須考慮的因素。封裝工藝是影響LED功能作用的主要因素之一，封裝工藝關(guān)鍵工序有裝架、壓焊、封裝。由于封裝工藝本身的原因，導(dǎo)致LED封裝過(guò)程中存在諸多缺陷(如重復(fù)焊接、芯片電極氧化等)，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示[1。2]：焊接系統(tǒng)的失效占整個(gè)半導(dǎo)體失效模式的比例是25％～30％，在國(guó)內(nèi)[33，由于受到設(shè)備和產(chǎn)量的雙重限制，多數(shù)生產(chǎn)廠家采用人工焊接的方法，焊接系統(tǒng)不合格占不合格總數(shù)的40％

4、以上。從使用角度分析，LED封裝過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷，雖然使用12封裝缺陷機(jī)理LED芯片受到腐蝕因素影響或沾染油污時(shí)，在芯片電極表面生成一層非金屬膜，產(chǎn)生封裝缺陷[11]。電極表面存在非金屬膜層的LED芯片壓焊工序后，焊接處形成金屬一介質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)，也稱為隧道結(jié)。當(dāng)一定強(qiáng)度的光照射在LED芯片上，若LED芯片失效，支架回路無(wú)光電流流過(guò)若非金屬膜層足夠厚，只有極少數(shù)電子可以隧穿膜層勢(shì)壘，LED支架回路也無(wú)光電流流過(guò)；若非金屬膜層較薄，由于LED