強(qiáng)磁場(chǎng)下Al-Cu和Al-Mg二元金屬體系擴(kuò)散行為研究.pdf

1、擴(kuò)散是物質(zhì)傳輸?shù)闹匾绞剑刂圃拥臄U(kuò)散可以改善材料的組織和性能。材料的固態(tài)相變、再結(jié)晶、晶界遷移等各種冶金現(xiàn)象都與原子的擴(kuò)散密切相關(guān)。而強(qiáng)磁場(chǎng)作為一種有效控制手段對(duì)這些現(xiàn)象有明顯影響。因此，研究強(qiáng)磁場(chǎng)下的擴(kuò)散不僅有助于建立和豐富強(qiáng)磁場(chǎng)材料科學(xué)理論，而且為強(qiáng)磁場(chǎng)下金屬材料的各種冶金現(xiàn)象提供理論指導(dǎo)。
　　本文利用金相顯微鏡、讀數(shù)顯微鏡、電子探針、掃描電鏡等手段研究了強(qiáng)磁場(chǎng)下液態(tài)Al/固態(tài)Cu、固態(tài)Al/固態(tài)Mg擴(kuò)散偶的擴(kuò)散行為，考

2、察了磁場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)方向?qū)U(kuò)散的影響。通過(guò)考察擴(kuò)散層厚度、界面遷移距離等從動(dòng)力學(xué)角度計(jì)算了強(qiáng)磁場(chǎng)下的有效擴(kuò)散系數(shù)，并且從熱力學(xué)角度計(jì)算了強(qiáng)磁場(chǎng)下的擴(kuò)散常數(shù)和擴(kuò)散激活能。
　　強(qiáng)磁場(chǎng)下Al-Cu液/固擴(kuò)散行為研究結(jié)果表明:不論是否施加磁場(chǎng)，從Cu側(cè)到Al側(cè)依次生成:δ(Cu3Al2)、ξ2(Cu12Al9)及η2(CuAl)三層化合物。11.5T磁場(chǎng)條件下，擴(kuò)散層的厚度明顯變薄。擴(kuò)散層厚度與保溫時(shí)間滿足指數(shù)關(guān)系。無(wú)磁場(chǎng)時(shí)，擴(kuò)散層的生長(zhǎng)

3、由化學(xué)反應(yīng)和組元的擴(kuò)散共同作用;而11.5T磁場(chǎng)條件下，組元的擴(kuò)散對(duì)擴(kuò)散層的生長(zhǎng)起主要作用。強(qiáng)磁場(chǎng)主要通過(guò)增大擴(kuò)散激活能來(lái)使擴(kuò)散系數(shù)減小，從而阻礙Al-Cu擴(kuò)散層的生長(zhǎng)。
　　強(qiáng)磁場(chǎng)下Al/Mg固/固擴(kuò)散行為研究結(jié)果表明:0T及11.5T磁場(chǎng)條件下，Mg、Al界面處生成γ(Mg17Al12)和β(Mg2Al3)兩層化合物。施加磁場(chǎng)后，擴(kuò)散層變厚。擴(kuò)散層厚度與保溫時(shí)間滿足指數(shù)關(guān)系。370℃時(shí)，擴(kuò)散層厚度隨磁場(chǎng)方向的改變有顯著變化，當(dāng)