PLD法制備Ni1-xCoxO4-3透明導(dǎo)電氧化物薄膜的研究.pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜因?yàn)槠淞己玫墓怆娦阅埽瑥V泛應(yīng)用于平面顯示器、太陽(yáng)能電池、節(jié)能視窗、透明電磁屏蔽等領(lǐng)域。但由于光電性能良好的p型TCO薄膜的缺乏導(dǎo)致透明電子器件難以制備，因此TCO薄膜的p型摻雜成為了目前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，制備出具有良好的光電性能的p型TCO薄膜成為了國(guó)際上的熱門研究課題。
　　NiO和Co3O4都是p型導(dǎo)電材料，據(jù)報(bào)道將它們按照不同的比例組合制備而成的Ni1-xCoxO4/3氧化物薄膜也是一

2、種p型導(dǎo)電薄膜，并且具有良好的光電性能。本文采用傳統(tǒng)的陶瓷燒結(jié)工藝制備了不同比例的鎳鈷氧化物靶材，為薄膜的制備提供條件。利用脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng)在CVDZnS襯底上制備了一系列Ni1-xCoxO4/3薄膜，采用AFM、SEM、XPS、輪廓儀等表征手段對(duì)薄膜進(jìn)行了成分分析和結(jié)構(gòu)分析，并對(duì)薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試分析。
　　采用PLD法制備的Ni1-xCoxO4/3薄膜表面非常平整，薄膜粗糙度較小，薄膜與襯底結(jié)合較好，

3、薄膜的厚度約50nm。XPS分析結(jié)果顯示，薄膜中Ni元素和Co元素的比例和靶材中的比例吻合較好，但O原子所占比例較小，和預(yù)想化學(xué)計(jì)量比相差較大。薄膜中Ni和Co都同時(shí)存在二價(jià)和三價(jià)，薄膜主要以尖晶石結(jié)構(gòu)存在。電學(xué)性能結(jié)果分析顯示，采用PLD法制備的Ni1-xCoxO4/3薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能，其電阻率較低，最低的電阻率達(dá)到了1.22×10-4Ω·cm。但薄膜的光學(xué)性能較差，在可見光波段和紅外波段透過(guò)率都較低。在保持薄膜具有高的電導(dǎo)率的