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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,集成電路的性能、規(guī)模、復(fù)雜性都有了很大的提高,集成電路設(shè)計(jì)方法和制造也面臨著許多挑戰(zhàn)。特別是射頻(RF)電路,目前已經(jīng)把無(wú)源器件集成在RF芯片中,像MIM電容和電感,但是這些無(wú)源器件占用的面積很大,而且Q容易隨著頻率變化,Q代表著能量的使用效率,對(duì)電路的性能有很大影響。這些無(wú)源器件的性能基本上決定了RF電路的性能。因此如何提高無(wú)源器件在高頻下的性能,以及如何減少無(wú)源器件占用的面積,已經(jīng)成為一個(gè)熱門(mén)的課題。
2、 提高無(wú)源器件的性能和減少占用面積,可以從兩方面同時(shí)著手。一個(gè)方面是從器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);另一方面是從器件制造工藝。本文主要從制造工藝方面,詳細(xì)介紹如何提高無(wú)源器件的性能和減少占用面積。 目前RF電路無(wú)源器件主要包括MIM電容和電感。在一般的使用頻率下,MIM電容的Q基本上可以達(dá)到50多,而電感只有20多。所以相對(duì)而言,MIM電容的主要問(wèn)題在于如何減小占用面積,而電感的主要問(wèn)題在于如何提高Q。 本文就是通過(guò)減少M(fèi)IM電容介
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