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文檔簡介
1、近十幾年來,無線通信技術(shù)得以迅猛發(fā)展。無線通信的低功耗、低成本和小體積等要求,促使無線通信系統(tǒng)逐步向更高層次集成。隨著硅工藝半導(dǎo)體技術(shù)向深亞微米方向發(fā)展,在一塊晶片上集成整個通信系統(tǒng)已成為可能。因此,研究在標準的硅工藝下,如何實現(xiàn)高性能、高集成化的射頻或微波集成電路已成為關(guān)鍵問題。為此必需將無源器件(如電感、電容和電阻等)集成到硅基芯片中。無源器件的設(shè)計和應(yīng)用,直接影響到電路的整體性能。尤其是如何實現(xiàn)高性能的片上螺旋電感,成為射頻集成電
2、路的研究重點。 本論文的主體內(nèi)容是研究射頻/微波集成電路中無源器件的特性,尤其是片上螺旋電感。從電磁理論角度出發(fā),借助于商用電磁仿真軟件,對各種工藝下(硅和砷化鎵,著重于硅)的片上螺旋電感進行了電磁建模和分析。詳盡地分析了影響螺旋電感性能的高頻效應(yīng)、分布效應(yīng)和各種損耗機制。針對傳統(tǒng)等效電路模型的不足,分別提出了改進形式的高頻等效電路模型。結(jié)合多變量參數(shù)擬合的方法,對于特定工藝參數(shù)下的螺旋電感,擬合出與形狀參數(shù)相關(guān)的多變量閉合表達
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