氧化物材料的氧環(huán)境掃描電鏡分析.pdf

1、該論文提出氧環(huán)境掃描電子顯微分析方法,以減輕和補償非導(dǎo)電氧化物類樣品在電子束輻照作用下的表面充電現(xiàn)象.該工作搭建了掃描電子顯微鏡的氧氣輸送和控制裝置.采用pA-電流表測量吸收電流信號,評價Al<,2>O<,3>、Cu/SiO<,2>、用Y<,2>O<,3>穩(wěn)定的ZrO<,2>(YS-ZrO<,2>)等氧化物表面的充電現(xiàn)象,以及氧環(huán)境的充電補償作用.此外,通過樣品加熱和改變電鏡的成像參數(shù)等方法,減輕非導(dǎo)電樣品表面的充電效應(yīng).該文討論了在電

2、子束輻照下,Al<,2>O<,3>、SiO<,2>、YS-ZrO<,2>等氧化物材料的充電機制,以及氧環(huán)境的充電補償機制.電子束轟擊造成表面電子受激解吸和電子束對內(nèi)部缺陷的調(diào)制是充電的主要原因.對于樣品表面電子受激解吸造成的充電可通過氧環(huán)境提供補償,氧環(huán)境主要是通過及時補充氧空位、修復(fù)能帶扭曲起作用的;對于電子束調(diào)制內(nèi)部缺陷造成的充電可通過加熱試樣減輕缺陷濃度來補償.氧環(huán)境掃描電子顯微分析是針對氧化物類非導(dǎo)電材料直接成像和分析的一種新穎