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文檔簡介
1、計算機問世50多年來，其性能發(fā)展很快，特別是CPU技術(shù)發(fā)展更快，然而，計算機存儲器的發(fā)展滯后于CPU的發(fā)展，它嚴(yán)重影響了計算機的性能。由此對存儲器在集成度、功耗和速度上提出了更高的要求。 BiCMOS(BipolarComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)技術(shù)將雙極型器件與CMOS器件有效結(jié)合，既保持了CMOS電路的低功耗和高集成度的優(yōu)點，又獲得了與雙極電路相媲美的高速性能和強驅(qū)動能力，因此
2、，近年來此技術(shù)正日益受到集成電路(IC)業(yè)界的重視。 本文設(shè)計的靜態(tài)隨機讀/寫存儲器(SRAM)采用先進的BiCMOS技術(shù)及Bank結(jié)構(gòu)、CSEA存儲位元以及超前譯碼技術(shù)，使存儲性能大為提高。本文最后對SRAM部分單元電路進行了逐一、反復(fù)的仿真試驗，以及對全電路進行了軟件仿真，模擬結(jié)果表明，所設(shè)計的SRAM的容量為1M，電源電壓為3.3V，功耗約為1.78W，總體上實現(xiàn)了高速、高精度、低功耗的特性。 根據(jù)SRAM電路的性
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