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1、近幾十年來,基于二值邏輯理論的VLSI電路技術(shù)獲得了驚人的發(fā)展。雖然按比例縮小理論在增強(qiáng)器件性能方面取得很大成功,但隨著單片集成度不斷提高,器件尺寸的不斷縮小,電路的功耗、互連線、散熱以及在材料特性、小尺寸器件的性能以及VLSI電路和系統(tǒng)的設(shè)計(jì)等方面相當(dāng)多的嚴(yán)重問題也陸續(xù)暴露出來,許多因素使得集成電路的性能逐漸趨于材料固有特性的極限而不再得到明顯的改善。為了繼續(xù)保持集成效率不斷提高的趨勢(shì),并開發(fā)現(xiàn)有工藝加工設(shè)備的內(nèi)在潛力,必須在器件和電
2、路的設(shè)計(jì)概念上有新的突破。多值邏輯理論和神經(jīng)MOS晶體管是解決這些問題的有效方法。 論文首先闡述了多值邏輯理論和神經(jīng)MOS管的基本概念。由于神經(jīng)MOS晶體管結(jié)構(gòu)的特殊性,提出了vMOS的一種等效電路模型;然后根據(jù)vMOS-DLC和C-vMOS源極跟隨電路的工作原理,提出了一種新型的vMOS多值組合邏輯電路結(jié)構(gòu),根據(jù)該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一系列多值邏輯組合電路,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步詳細(xì)分析和討論了這種新型的電路結(jié)構(gòu);最后根據(jù)鐘控vMOS晶體管
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