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文檔簡介
1、本文主要開展了三個方面的研究:硼雜質(zhì)擴散的分布規(guī)律研究、硼擴散濃度和深度的控制技術(shù)研究和硼擴散片幾何參數(shù)的控制技術(shù)研究。
首先對硼雜質(zhì)擴散的分布規(guī)律進行了研究。在理想狀況下,恒定表面源擴散分布為余誤差函數(shù)分布,表面濃度始終保持不變,與時間無關(guān),只與擴散的雜質(zhì)種類和擴散的溫度有關(guān);硼的限定表面源擴散為高斯分布。
其次對硼擴散濃度和擴散深度的控制技術(shù)進行了研究。硼擴散片的擴散層為高濃度擴散層,要求擴散層濃度不小于
2、5×1019/cm3,擴散層深度不小于30μm。因此,需要采用兩步擴散工藝,即預(yù)擴散和再分布。本文通過采用兩步擴散步驟、預(yù)擴散采用雙面擴散的方式、再分布采用采用密閉碳化硅管、控制擴散溫度和擴散時間,有效地控制了擴散層濃度和結(jié)深。
最后對硼擴散片幾何參數(shù)的控制技術(shù)進行了研究。實驗發(fā)現(xiàn)單面擴散比雙面擴散的彎曲度大,晶錠加工之前的熱處理工藝有助于彎曲度的改善。在單面減薄后對硅片進行堿處理工藝,進一步改善了擴散片的彎曲度。對擴散片
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