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1、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)是以有機(jī)半導(dǎo)體材料為有源層的晶體管器件,和傳統(tǒng)的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體器件相比,具有成本低、可實(shí)現(xiàn)大面積加工、可與柔性基底集成等優(yōu)點(diǎn),因此在世界范圍內(nèi)引起了廣泛關(guān)注。由于最近的十?dāng)?shù)年間,有機(jī)半導(dǎo)體材料和器件工藝等方面研究的顯著進(jìn)步,OFETs的遷移率、開(kāi)關(guān)電流比等性能參數(shù)已達(dá)到或超過(guò)非晶硅(a-Si:H)晶體管器件的水平,是各種各樣的要求低成本、大面積的
2、商業(yè)電子應(yīng)用領(lǐng)域極具吸引力的技術(shù),如智能卡、傳感器、射頻標(biāo)識(shí)、平板顯示等領(lǐng)域。目前,這種要求低成本、大面積的電子應(yīng)用市場(chǎng)基本上被基于a-Si:H的薄膜晶體管所占據(jù),然而,要想得到較高性能的a-Si:H TFTs器件,需要>200℃的成膜工藝,因此,限制了a-Si:H TFrs器件與聚合物柔性襯底的集成,而OFETs可以兼容低溫工藝,這也是其另一條具有吸引力的優(yōu)點(diǎn)。 文中首先回顧了OFETs的發(fā)展歷史,概述了各種OFET中常用的材
3、料,包括有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體材料、電極材料和絕緣層材料等,除此之外,對(duì)現(xiàn)階段OFET存在的問(wèn)題、研究熱點(diǎn)及未來(lái)的發(fā)展方向作了小結(jié)。從OFET結(jié)構(gòu)、有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子傳輸機(jī)理、OFET的I-V公式推導(dǎo)等方面闡釋了OFET的工作機(jī)理,并用數(shù)值方法對(duì)OFET進(jìn)行了模擬,分析了一些參數(shù)對(duì)OFET性能的影響,得到了一些有意思的結(jié)果。 本文重點(diǎn)研究了并五苯這種材料,介紹了并五苯的合成、表征,并研究了諸如沉積速率、襯底溫度等參數(shù)對(duì)并五苯薄膜性質(zhì)
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