半導體激光和5-氟尿嘧啶緩釋植入劑對口腔腫瘤細胞抑制作用實驗研究.pdf

1、目的:口腔惡性腫瘤是世界上最常見的惡性腫瘤之一,占全身惡性腫瘤的5％左右,其中90%為上皮來源的鱗狀細胞癌,近年來口腔惡性腫瘤的發(fā)病率呈上升趨勢,發(fā)病的年齡也趨于年輕化,因而探索口腔惡性腫瘤的發(fā)病機制進而尋找積極有效的預防途徑成為一項十分迫切的重要任務,有學者認為實質性腫瘤兩個主要特征之一是大量的新生血管形成,惡性腫瘤細胞通過新生的血管組織獲得必要的養(yǎng)分,帶去大量的新陳代謝產(chǎn)物,同時瘤細胞穿過新生的毛細血管經(jīng)由血路遠處轉移,血管生成源于

2、已存在的毛細血管和毛細血管后微靜脈的新的毛細血管性血管的生長,新生血管對于腫瘤的生長,浸潤及轉移具有重要的意義,腫瘤只有具備了血管生成表型后才能惡性生長和發(fā)生成功的轉移,血管的新生也是決定口腔惡性腫瘤生長、分化、侵襲和轉移的關鍵因素。
　　方法:選擇人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌(ACC-3)腫瘤的細胞,復蘇后予以培養(yǎng)在24盤培養(yǎng)孔中24小時,隨機分為半導體激光照射組加5-Fu緩釋劑作用組和對照組,采用半導體激光照射加

3、入5-Fu緩釋植入劑的口腔腫瘤細胞,半導體激光照射組以輸出功能130mw連續(xù)照射30、60、120、180、240、300秒,照射之后細胞再培養(yǎng)24小時,24小時后計算細胞數(shù)并用蛋白電泳分析。西方墨點法和免疫熒光染色法來觀察增生性細胞核抗原(ProliferatingcellNuclearantigen.PCNA)組蛋白,細胞角質分子、微小管、SYnemin和Plectin等細胞增殖數(shù)量是以細胞數(shù)目的計算與PCNA、Histone的表現(xiàn)

4、評估,微小管、細胞角質、Plectin和Synemins的表現(xiàn)則代表細胞骨架的穩(wěn)定性是否會受到半導體激光照射的影響。
　　結果:結果顯示腫瘤的細胞數(shù)目PCNA和Histone的表現(xiàn)均出現(xiàn)減少,顯示出人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌(ACC-3)腫瘤的細胞增生在實驗中均受到抑制,對人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌(ACC-3)腫瘤的細胞影響最大的照射時間分別是90秒和120秒(能量密度分別是5.85J/cm2和7

5、.8J/cm2),在此劑量的照射下,人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌(ACC-3)腫瘤的細胞減少率分別為76%和66%,除此之外,實驗中這些細胞的微小管和中間型結構的完整性也受到破壞,中間型絲相關蛋白中Pleetin和Synemin的表現(xiàn)也被減少了。
　　結論:半導體激光和5-氟尿嘧啶緩釋植入劑會抑制人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌(ACC-3)腫瘤細胞的抑制效應,表現(xiàn)為兩個方面的效應:(1)抑制細胞有絲分裂,

6、使細胞增殖停止和減緩,導致細胞數(shù)目減少,半導體激光和5-氟尿嘧啶緩釋植入劑抑制Histome的產(chǎn)生,使得DNA不能正常復制,因而降低了人口腔上皮細胞株KB細胞和人涎腺腺樣囊性癌(ACC-3)腫瘤細胞的增殖;(2)半導體激光和5-氟尿嘧啶緩釋植入劑通過影響細胞代謝或結構,加速細胞的死亡,這種抑制作用的機制可能是由于Plectin和Synemin等中間型絲相關蛋白的表現(xiàn)受半導體激光和5-氟尿嘧啶緩釋植入劑影響而下降,不足的Plectin和S