2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、在現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中,隨著芯片集成度的增加和尺寸的減小,微電子封裝的精度要求越來越高,鍵合質(zhì)量及可靠性控制與提升的難度加大。芯片焊盤上的crystaldefect是在半導(dǎo)體制造工藝中產(chǎn)生的會引起鍵合失效的主要問題之一,目前國際上尚無很好的解決辦法。因此,研究解決焊盤的crystaldefect這一工藝缺陷問題,對于提高半導(dǎo)體的鍵合,封裝質(zhì)量與可靠性具有很高的理論和應(yīng)用價值。本文以實驗為基礎(chǔ),通過實踐與理論相結(jié)合,對crystaldefec

2、t的結(jié)構(gòu)特點,形成機理,去除方法以及預(yù)防工作進行了深入地探討與研究。 論文首先介紹了本研究工作的意義、現(xiàn)狀和工作內(nèi)容,并從工作需要出發(fā)介紹了引線鍵合與焊盤制造工藝的原理。然后針對在半導(dǎo)體制造過程中對crystaldefect的漏檢問題提出在光學(xué)顯微鏡下判別crystaldefect的方法,介紹了crystaldefect在電子顯微鏡下的水平與垂直結(jié)構(gòu)以及組成成分特點。設(shè)計了復(fù)制CrystalDefect的實驗,并根據(jù)實驗結(jié)果提出

3、在半導(dǎo)體制造過程中crystaldefect形成的兩個必要因素:a。氫氟酸污染源;b.晶圓存放環(huán)境的濕度偏高(相對濕度大于48﹪)。對crystaldefect的形成機理進行了推論,提出電化學(xué)反應(yīng)模型,將其形成總結(jié)為以下兩個過程:第一步為電化學(xué)反應(yīng),芯片焊盤的氧化鋁膜和鋁膜組成的系統(tǒng)在F離子與水汽的同時作用下生成氫氧化鋁;第二步為酸堿中和反應(yīng),氫氧化鋁在HF的作用下生成鋁氟氧的化合物A10xFy,即為crystaldefect。

4、 然后,從實踐出發(fā),提出使用光刻膠去除劑(EKC)去除crystaldefect,并且通過俄歇電子能譜表面分析與BPT(BondPullTest)和BST(BondShareTest)標(biāo)準(zhǔn)鍵合可靠性測試驗證了該方法的有效性。 最后,本文由實驗結(jié)果提出控制好晶片存放環(huán)境,即潔凈室的濕度是在生產(chǎn)中預(yù)防crystaldefect產(chǎn)生的實際而有效的方法,其效果在本廠的多次實踐中得到證實。 通過本文的工作,從根本上解決了對鋁焊盤的

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