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1、芯片內(nèi)部溫度場(chǎng)分布對(duì)采用90nm及以下深亞微米工藝生產(chǎn)的集成電路(如高性能通用處理器)芯片的性能影響很大,因此在其物理設(shè)計(jì)過(guò)程中應(yīng)當(dāng)考慮芯片內(nèi)部溫度場(chǎng)的影響,但目前還沒(méi)有一種成熟的芯片級(jí)溫度場(chǎng)分析工具可應(yīng)用于這類(lèi)芯片的物理設(shè)計(jì)。 本文提出了一種根據(jù)有限元分析法對(duì)芯片建模并進(jìn)行熱分析,最終得到芯片溫度場(chǎng)分布的方法。該方法綜合考慮了由芯片生產(chǎn)工藝決定的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),芯片的外部散熱情況,并采用接近芯片真實(shí)工作情況的功耗分析結(jié)果模擬芯片
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