不同電參數(shù)對微弧氧化純鈦表面影響的研究.pdf

1、南方醫(yī)科大學(xué)2009級碩士學(xué)位論文不同電參數(shù)對微弧氧化純鈦表面影響的研究Theinvestigationofdifferentelectricalparametersontheimpactofmicro—arcoftitaniumsurface課題來源：國家自然科學(xué)基金(81170998)專業(yè)名稱學(xué)位申請人指導(dǎo)教師答辯委員會主席答辯委員會成員口腔臨床醫(yī)學(xué)蔣穎周磊教授論文評閱人曾融生教授鄧飛龍教授2012年5月15日廣州摘要性等特性能對材

2、料一組織問相互作用產(chǎn)生影響，同時(shí)細(xì)胞必須首先在材料上發(fā)生適當(dāng)?shù)恼掣?，才可能進(jìn)一步增殖、遷移、分化，細(xì)胞與材料問良好的粘附作用對于組織再生和植入物的修復(fù)起重要作用。由于研究時(shí)間較短，對微弧氧化后的種植體材料表面特性研究不夠深入。目前，已知的電參數(shù)中，電壓、電流密度、占空比、頻率、反應(yīng)時(shí)間、電解質(zhì)濃度等均對微弧氧化產(chǎn)生一定的影響。本實(shí)驗(yàn)中，僅選取占空比、電壓、電解質(zhì)濃度三個(gè)參數(shù)作為主要研究對象，討論其對微弧氧化后純鈦表面特性的影響后，希望得

3、到較為合適的電化學(xué)參數(shù)；進(jìn)一步初步探討了不同濃度的電解質(zhì)處理之后的純鈦表面特性，及其對成骨細(xì)胞的粘附、增殖、生長分化的不同影響，尋求其中的規(guī)律，為優(yōu)化微弧氧化種植體表面處理技術(shù)提供理論依據(jù)。目的1初步研究比較了不同占空比、電壓、電解質(zhì)濃度對微弧氧化純鈦表面特性的影響，得出生成較好性能的微弧氧化純鈦膜層表面的電參數(shù)；2根據(jù)初步研究結(jié)果，選定合適占空比、電壓，在不同濃度電解質(zhì)下形成微弧氧化純鈦，進(jìn)一步研究其膜層特性，比較其對人成骨肉瘤細(xì)胞系

4、MG63粘附、增殖、分化的不同影響，為微弧氧化種植體處理技術(shù)的優(yōu)化提供理論依據(jù)。材料和方法。材料準(zhǔn)備：將工業(yè)純鈦加工成為直徑為15mill、厚度為12inln純鈦圓片試件，用200～800碳化硅砂紙逐級打磨，分別在丙酮、無水乙醇、去離子水中超聲蕩洗10min。1、研究不同占空比、電壓、電解質(zhì)濃度對微弧氧化純鈦表面特性的影響(1)分組：1)占空比組：在占空比分別為5％、25％、45％、65％的條件下對鈦片進(jìn)行微弧氧化處理，其余處理因素恒定