1063.單層1txs2(x=mo,w)結構穩(wěn)定性應力調控的第一性原理研究

1、類號：O41密級：（宋體小4號）學校代碼：10414學號：2012010617碩士研究生學位論文單層單層1TXS2(X=MoW)結構穩(wěn)定性應力調控的第一性原理研究結構穩(wěn)定性應力調控的第一性原理研究Firstprinciplesstudyonthestructuralstabilityof1TXS2(X=MoW)monolayerbystresscontrolling王玲王玲院所：物理與通信電子學院導師姓名：樂建新、徐波學科專業(yè)：理論物理

2、研究方向：層狀二硫化物二○一五年四月I摘要單層的二硫化物XS2(X=MoW)在電子和光電子器件中有著廣泛的應用前景。對于MoS2，1H相是通常情況下最穩(wěn)定的結構。而單層的MoS2一個獨特的性質是多態(tài)性，并且根據結構的不同，能得到不同的電子結構性質。例如1HMoS2表現為半導體特性，而1TMoS2表現為金屬特性。為了拓展單層MoS2的應用，我們提出了一種利用晶格壓應變來穩(wěn)定1TMoS2結構的方法。本論文基于密度泛函理論，研究了1TMoS2

3、和1TWS2在不同應變下的晶格穩(wěn)定性。通過對不同應變下的聲子色散曲線進行分析，我們得出以下幾個結論：(1)在零應變下和施加拉應變時，1TMoS2和1TWS2的聲子色散曲線都出現了虛頻，表明其結構不穩(wěn)定。(2)當施加壓應變時，1TMoS2和1TWS2的聲子色散曲線中的虛頻隨著應變值的增加而逐漸減小。對于1TMoS2，當壓應變ε大于5.5%時，虛頻消失，表明原本處于亞穩(wěn)態(tài)的結構變得穩(wěn)定；而對于1TWS2，使得虛頻消失的應變值為6.5%。(3