2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、<p><b>  晶圓的快速測(cè)試方法</b></p><p>  摘 要:晶圓測(cè)試(wafer probe)是對(duì)晶片上單個(gè)晶粒通過探針測(cè)試,篩選不良品的一種方法。它是集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),不僅能最大限度的節(jié)約封裝及成品測(cè)試(Finial Test)成本,還能及時(shí)反映出晶圓制造廠的良品率。本文主要介紹如何通過快速測(cè)試(speed probe)來降低晶圓測(cè)試成本,縮短測(cè)試時(shí)間

2、,提高測(cè)試效率。 </p><p>  關(guān)鍵字:晶圓測(cè)試;晶圓快速測(cè)試;測(cè)試時(shí)間 </p><p><b>  1 引言 </b></p><p>  隨著集成電路工藝的迅猛發(fā)展,也促使集成電路測(cè)試技術(shù)不斷更新,以提高半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)效益。其中晶圓測(cè)試對(duì)整個(gè)集成電路生產(chǎn)過程的良品率及成本控制起著重要的作用。 </p><p&

3、gt;<b>  2 晶圓測(cè)試概述 </b></p><p>  2.1 晶圓測(cè)試介紹 </p><p>  晶圓測(cè)試是半導(dǎo)體后段區(qū)分良品與不良品的第一道工序,主要目的是對(duì)晶圓中獨(dú)立的晶粒(die)進(jìn)行測(cè)試,通過探針卡接觸晶粒上的觸點(diǎn)(bond pad),測(cè)試其電氣功能特性,把不良片篩選出來,同時(shí)按照電性不良類型把不合格的產(chǎn)品分類(bin), 提供給晶圓制造廠進(jìn)行數(shù)據(jù)

4、分析,改進(jìn)工藝。不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào),而后當(dāng)芯片依晶粒為單位切割成獨(dú)立的晶粒時(shí),標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被洮汰,不再進(jìn)行下一個(gè)制程,以免徒增制造成本。 </p><p>  2.2 晶圓測(cè)試分類 </p><p>  通常情況下,晶圓測(cè)試是對(duì)一片晶圓上每一個(gè)獨(dú)立完整的芯片進(jìn)行測(cè)試,逐一執(zhí)行程序中設(shè)定的所有測(cè)試項(xiàng)(Full Probe),即完全測(cè)試,它主要針對(duì)研發(fā)階段及設(shè)計(jì)生產(chǎn)逐步走向成熟

5、的產(chǎn)品。但隨著晶圓生產(chǎn)工藝的不斷完善,測(cè)試環(huán)節(jié)的成本控制就會(huì)顯得尤為重要。更重要的一個(gè)因素是,隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體廠需要以更快更優(yōu)的方式把產(chǎn)品提供給客戶。這就決定了測(cè)試工程師必須進(jìn)一步分析測(cè)試程序,研究什么需要被測(cè)試以及以何種方式滿足這些測(cè)試。因此晶圓的快速測(cè)試方法應(yīng)運(yùn)而生,它是一個(gè)既滿足成本控制,又能提高測(cè)試效率的最佳解決方案。 </p><p>  3 晶圓的快速測(cè)試方法 </p>&

6、lt;p>  在晶圓快速測(cè)試(speed probe)中,首先把整片晶圓按照良品率分為兩個(gè)區(qū)域。良品率低的區(qū)域進(jìn)行完全測(cè)試,所有程序中涉及的測(cè)試項(xiàng)都會(huì)逐一被測(cè)試。但針對(duì)良品率高的區(qū)域采取縮減測(cè)試項(xiàng)的快速測(cè)試方法,只進(jìn)行關(guān)鍵電性參數(shù)的測(cè)試,這樣就能大大縮短整片晶圓的測(cè)試時(shí)間。 </p><p>  快速測(cè)試優(yōu)點(diǎn)和風(fēng)險(xiǎn)分析: </p><p>  ?在關(guān)鍵性電參數(shù)都被測(cè)試的情況下,極大的

7、縮短了測(cè)試時(shí)間。 </p><p>  ?通過大量歷史測(cè)試數(shù)據(jù)分析來劃分良品率高的區(qū)域和良品率低的區(qū)域,能最大限度的規(guī)避快速測(cè)試帶來的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)。 </p><p>  ?晶圓上每一個(gè)獨(dú)立完整的晶粒都會(huì)被測(cè)試。 </p><p>  ?關(guān)鍵的電性參數(shù)在快速測(cè)試中都會(huì)被測(cè)試到,如激光修復(fù),ECID,HVST,以及客戶特別要求的測(cè)試參數(shù)。 </p><

8、p>  ?在實(shí)際測(cè)試中,如果抽樣測(cè)試的良品率高于預(yù)先設(shè)定的閾值,則晶圓上其余的晶粒將執(zhí)行縮減測(cè)試項(xiàng)的程序流程,只進(jìn)行關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)試;如果抽樣測(cè)試的良品率低于預(yù)先設(shè)定的閾值,則晶圓上其余的晶粒將執(zhí)行程序中規(guī)定的所有測(cè)試項(xiàng)。 </p><p>  ?晶圓快速測(cè)試既能提高晶圓測(cè)試廠的產(chǎn)能,又能大大降低測(cè)試成本。 </p><p>  4 產(chǎn)品A快速測(cè)試解決方案 </p>&l

9、t;p>  4.1 分析晶圓歷史測(cè)試圖(wafer map),確立每一顆晶粒所在位置的歷史良品率,劃分良品率高的區(qū)域和良品率低的區(qū)域,計(jì)算分析觸發(fā)快速測(cè)試的良品率閾值。 </p><p>  4.2 由測(cè)試工程師和產(chǎn)品工程師分析確立關(guān)鍵電性參數(shù)測(cè)試列表(CTL),分析每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試時(shí)間,在程序中設(shè)定縮減的測(cè)試流程。 </p><p>  4.3 進(jìn)行成本分析,包括晶圓測(cè)試時(shí)間/成本

10、,封裝及最終測(cè)試(Finial Test)成本。 </p><p>  5 產(chǎn)品A快速測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證及結(jié)論 </p><p>  使用完全測(cè)試和快速測(cè)試的方式分別測(cè)試三片同樣的晶圓,分bin和良品率(yield)對(duì)比結(jié)果偏差均符合規(guī)格(Bin Kappa Bias < limit 6%, Yield Kappa Bias <limit 3%)。執(zhí)行縮減測(cè)試項(xiàng)的晶粒的測(cè)試時(shí)間比執(zhí)行

11、全部測(cè)試項(xiàng)的晶粒的測(cè)試時(shí)間短0.45秒。 </p><p>  通過在產(chǎn)品A執(zhí)行快速測(cè)試,有效的降低了測(cè)試成本,縮減了測(cè)試時(shí)間,同時(shí)提高了晶圓測(cè)試的產(chǎn)能。 </p><p><b>  參考文獻(xiàn) </b></p><p>  [1]PeterVanZant. Microchip fabrication:a practical guide to

12、semiconductor processing,fifth edition </p><p>  [2]Tokyo Electron. Fully automatic wafer prober model. </p><p>  [3]W.Chen. Speed testing during wafer sort for KGD product. King Yuan Electronic

13、s Co. Sep. 2007 </p><p>  [4]D. S. Liu & M. K. Shih, “Experimental method and FE simulation model for evaluation of wafer probing parameters,” Microelectronics Journal, vol. 37, no. 9, pp. 871-883, May,

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