新型微電子IC晶圓清洗方法的研究.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對晶圓表面潔凈度的要求越來越高，使微電子晶圓清洗工藝面臨著許多技術(shù)難題。本論文主要是針對目前普遍采用的傳統(tǒng)的RCA清洗技術(shù)的不足，如耗費大量的高純化學試劑，高純?nèi)ルx子水，工藝步驟繁雜，污染破壞環(huán)境等一系列問題，研究一種新型電化學氧化清洗技術(shù)。
　　 論文對目前微電子清洗做了詳細的介紹，并介紹了目前普遍采用的幾種清洗方法以及各種方法的優(yōu)缺點。引入本論文所用的電化學氧化清洗方法，以及驗證該技術(shù)應用于微電子清

2、洗中的可行性;該新型清洗方法應用硼摻雜金剛石膜作為陽極進行電化學氧化，陽極電解槽產(chǎn)物為具有強氧化性的氧化液，可以將水氧化成雙氧水，并能生成臭氧，利用這種強氧化溶液來進行有機物污染的去除;顆粒污染和金屬離子污染采用非離子表面活性劑和金屬離子螯合劑去除;電化學氧化去除有機污染物放在最后一步進行，是因為，電化學氧化液可以同時將晶圓表面殘留的活性劑和螯合劑殘留一并去除，不會由于試劑的使用造成二次污染。因此，該方法是一種高效、環(huán)保的清洗技術(shù)，能夠