la物理師模擬(一)

1、LA物理師模擬物理師模擬（一）（一）一單選題（共單選題（共120小題，每小題只有一個(gè)選項(xiàng)是正確的）小題，每小題只有一個(gè)選項(xiàng)是正確的）1阿伏加德羅常數(shù)NA約為：A6.0220451023B6.0220451025C5.0220451023D5.0220451025E6.02204510212原子序數(shù)大于（）的元素都不穩(wěn)定。A25B28C35D52E823（）發(fā)生光電效應(yīng)的概率最大。AK層BL層CM層DN層EP層4關(guān)于康普頓效應(yīng)的描述，錯(cuò)誤

2、的是：A光子和軌道電子相互作用后，損失一部分能量并改變運(yùn)動(dòng)方向，電子獲得能量而脫離原子的作用過(guò)程稱為康普頓效應(yīng)。B在入射X（γ）光子能量一定的情況下，散射光子能量隨散射角增大而減小。C散射角一定的情況下，散射光子能量隨入射X（γ）光子能量增大而增大。D散射角一定的情況下，反沖電子動(dòng)能隨入射X（γ）光子能量增大而減小。E每個(gè)電子的康普頓效益總截面、轉(zhuǎn)移截面和散射截面均與原子序數(shù)無(wú)關(guān)。5以水為吸收介質(zhì)，光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)的能量段是：A110Ke

3、vB1030KevC30Kev25MevD25Mev100MevE100Mev125Mev6具有確定質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)的原子的總體稱為：A原子核B同位素C核素D元素E核電荷素7帶電粒子與核外電子的非彈性碰撞的論述中，不正確的是：A入射帶電粒子與核外電子之間的庫(kù)侖力相互作用，使軌道電子獲得足夠的能量而引起原子電離B軌道電子獲得的能量不足以引起電離時(shí)，則會(huì)引起原子激發(fā)C處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時(shí)，會(huì)放出γ射線D處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時(shí)，釋放出特征

4、Ｘ射線或俄歇電子E被電離出來(lái)的軌道電子具有足夠的能量可進(jìn)一步引起物質(zhì)電離，此稱為次級(jí)電離8描述輻射品質(zhì)的物理量是：A傳能線密度B線性碰撞阻止C質(zhì)量碰撞阻止D線性衰減系數(shù)E質(zhì)量衰減系數(shù)9如以r表示電離室的半徑，則高能X射線的有效測(cè)量點(diǎn)位于：A0.3rB0.4rC0.5rD0.75rE幾何中心10由自由電子參與導(dǎo)電并形成電流的硅晶體稱為（）硅晶體。A“M”型B“N”型C“L”型D“P”型E“F”型20關(guān)于鈷60γ射線的特點(diǎn)，描述錯(cuò)誤的項(xiàng)是：

5、A鈷60γ射線比低能X射線的穿透力強(qiáng)B鈷60γ射線比低能X射線的皮膚劑量高C骨和軟組織有同等的吸收劑量D旁向散射比X射線小E鈷60γ射線治療經(jīng)濟(jì)可靠21直線加速器射線錯(cuò)誤的引出方式是：A90度偏轉(zhuǎn)引出B270度偏轉(zhuǎn)引出C直線引出D滑雪式引出E往返式引出22電離室定義有效測(cè)量點(diǎn)的目的是：A修正電離輻射的入射方向B修正電離室的方向性C修正電離室氣腔內(nèi)的輻射注量梯度變化D修正電離室氣腔內(nèi)的能譜變化E修正電離室測(cè)量的幾何位置23關(guān)于重粒子的描述

6、，哪項(xiàng)錯(cuò)誤？A質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布B快中子的傳能線密度值高，以生物形式改善了腫瘤組織與正常組織的射線效應(yīng)C重粒子的LET值都較高，故重粒子又稱高LET射線D高LET射線可以克服細(xì)胞周期對(duì)放射敏感性的影響ELET=10Kevμm是高低LET射線的分界線24關(guān)于內(nèi)轉(zhuǎn)換機(jī)制的下列說(shuō)法正確的是A處于激發(fā)態(tài)的原子放出?射線擊出外層電子B處于激發(fā)態(tài)的原子退激時(shí)放出電子C處于激發(fā)態(tài)的原子核的?衰變D處于激發(fā)態(tài)的原子核把能量轉(zhuǎn)移給

7、軌道電子使其發(fā)射出原子來(lái)E處于激發(fā)態(tài)的原子核放出?射線擊出軌道電子25各種模體對(duì)吸收劑量測(cè)量精度的影響，不能超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)水模體的多少？A1%B2%C3%D4%E5%26關(guān)于建成效應(yīng)的描述，錯(cuò)誤的是：A從表面到最大劑量深度區(qū)域成為建成區(qū)域B對(duì)高能X射線，一般都有劑量建成區(qū)域存在C劑量建成區(qū)內(nèi)表面劑量不能為零D高能次級(jí)電子數(shù)隨深度增加而增加，導(dǎo)致建成區(qū)域內(nèi)總吸收劑量隨深度而增加E高能X射線建成區(qū)深度隨能量增加而增加27有效原射線的定義是：A從放