微電子器件期末試題

1、一、填空題1.PN結(jié)中P區(qū)和N區(qū)的摻雜濃度分別為和本征載流子濃度為ANDN，則PN結(jié)內(nèi)建電勢的表達(dá)式。inbiV2lniDAbinNNqkTV?2.對于單邊突變結(jié)結(jié)，耗盡區(qū)主要分布在N區(qū)，該區(qū)濃度越NP?低，則耗盡區(qū)寬度值越大，內(nèi)建電場的最大值越??；隨著正向偏壓的增加，耗盡區(qū)寬度值降低，耗盡區(qū)內(nèi)的電場降低，擴(kuò)散電流提高；為了提高結(jié)二極管的雪崩擊穿電壓，應(yīng)降低N區(qū)的濃度，NP?這將提高反向飽和電流。SI)()(I])()ln(2[)2(|

2、|||12||)(21||1||)11(||||||||2212210max2max0maxmax0maxmaxmaxmaxmaxAnnDppipnnnppSDAsiDADAsbispnxxbisADsAsDsdAspDsnNLDNLDqnnLqDpLqDNNnNNNkTNVqNEENqExxEdxVENqENNqqNEqNExqNExqNExnp?????????????????????反向飽和電流崩擊穿電壓。使勢壘區(qū)拉寬來提高雪的摻

3、雜濃度，過適當(dāng)降低輕摻雜一側(cè)對于單邊突變結(jié)，可通解析：?????????8.PN結(jié)反射飽和電流隨結(jié)溫升高而升高。MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)下，飽和輸出電流隨半導(dǎo)體溫度增加升高而降低，這主要是由于遷移率下降造成的。解析：對于同一種半導(dǎo)體材料和相同的摻雜濃度，溫度越高，則in越大在，反向飽和電流就越大在，所以J具有正溫度系數(shù)。9.由于柵氧化層中通常帶正電，這使得N溝道MOSFET的閾值電壓絕對值變大，可動鈉離子從金屬絕緣層界面移向絕緣層半導(dǎo)體界面

4、，閾值電壓絕對值變小。10.短溝道MOSFET漏極電流飽和是由于載流子速度飽和，隨著溝道長度縮短，閾值電壓降低。長溝道MOSFET漏極電流飽和是由于溝道夾斷。11.為了提高雙極結(jié)型晶體管的基區(qū)輸運系數(shù)，應(yīng)降低基區(qū)寬度，降低基區(qū)摻雜濃度；當(dāng)基區(qū)寬度減半時，基區(qū)渡越時間變?yōu)樵瓉淼?1，這將降低基區(qū)穿通電壓。12.雙極結(jié)型晶體管工作在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，此時用于模擬電路；工作在截止區(qū)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。13.PN結(jié)的少子存儲