2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、用于風(fēng)力發(fā)電的電壓跌落發(fā)生器用于風(fēng)力發(fā)電的電壓跌落發(fā)生器目前我國的風(fēng)電技術(shù)大多還停留在理想電網(wǎng)條件下的風(fēng)電機組的運行控制,而實際電網(wǎng)中存在有各類對稱、不對稱故障發(fā)生。電網(wǎng)規(guī)范要求風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)必須具備低電壓穿越能力,因此,大容量并網(wǎng)型風(fēng)力發(fā)電機在電壓跌落下的控制策略研究是一個亟待解決的問題。為了研究和測試風(fēng)電系統(tǒng)的低電壓穿越能力,必須利用具有專門模擬電網(wǎng)電壓故障的設(shè)備,此類設(shè)備稱為電壓跌落發(fā)生器(VSG)[2]??尚行詮姷碾妷旱浒l(fā)生器可

2、以產(chǎn)生各種不同類型的電壓跌落,滿足電壓跌落深度的要求,可控電壓跌落相位及跌落時間,具有高功率、易實現(xiàn)和低成本的特點。本文提出一種新型的電壓跌落發(fā)生器,它可模擬單相、兩相及三相電壓跌落,且電壓跌落的持續(xù)時間、跌落深度、起止相位和跌落類型均可調(diào),具有操作簡單、可靠性高、實時性好等特點,適用于風(fēng)電機組及其他電氣、電子產(chǎn)品在電網(wǎng)電壓故障情況下的性能測試和研究。1電壓跌落發(fā)生器電壓跌落發(fā)生器目前,國內(nèi)外針對電壓跌落發(fā)生器展開了研究。參考文獻(xiàn)[2-

3、4]論述了3種形式(阻抗形式、變壓器形式和電力電子變換形式)的VSG實現(xiàn)方法。(1)阻抗形式的VSG。利用繼電器、接觸器或晶閘管將電阻電抗器串聯(lián)或并聯(lián)到主電路中實現(xiàn)電壓跌落。這種方案結(jié)構(gòu)簡單,實現(xiàn)方便,但由于受電阻功率的限制,往往要求較大阻值的電阻,這使得電壓跌落較深,且損耗較大。如果串并聯(lián)的阻抗是固定的,導(dǎo)致電壓跌落深度不可調(diào),由于負(fù)載的變化即使采用了可變電阻也會引起阻抗匹配關(guān)系改變,使得跌落深度難以有效控制。阻抗的存在使負(fù)載側(cè)的設(shè)備

4、無法向電網(wǎng)饋送能量,因此無法用此設(shè)備進(jìn)行無功補償。受開關(guān)器件的限制,電阻形式的VSG無法實現(xiàn)三相電壓的同時跌落。這些缺點影響了阻抗型VSG的使用。(2)變壓器形式的VSG有2類:①采用繼電器將變壓器并聯(lián)或串聯(lián)到主電路中,來實現(xiàn)電壓跌落;②利用中心抽頭在變壓器副邊相互切換實現(xiàn)電壓跌落。當(dāng)采用變壓器并聯(lián)方式時,其中1個變壓器要工作在副邊對地短路的故障狀態(tài)才能實現(xiàn)電壓跌落,這要求其具有較強的抗電流沖擊能力,從而導(dǎo)致此變壓器價格過高[2]。此外

5、,這一方案存在電壓跌落深度不可調(diào)的缺點。而中心抽頭變壓器形式的VSG設(shè)計工藝復(fù)雜,不易推廣??傊?,由于受開關(guān)器件的限制,變壓器形式的VSG,電壓跌落時間無法精確控制,當(dāng)功率較大時,變壓器體積和重量都很大,造成使用不便。(3)電力電子變換形式的VSG。采用交交變頻器或交直交變頻器,利用大功率可控器件實現(xiàn)電壓跌落,以控制電壓跌落的持續(xù)時間、跌落深度、起止相位和跌落類型。使用功率二極管、IGBT作為開關(guān)器件時,受器件功率的限制功率等級不能過大

6、。選用GTO、IGCT等器件雖然可以提高功率等級,但設(shè)備成本很高且控制復(fù)雜,可靠性不佳,且由于器件自身抵抗電網(wǎng)故障的電壓、電流沖擊能力有限,因此,該方案一般局限于實驗室和小功率范圍內(nèi)使用,不利于大規(guī)模推廣。2新型電壓跌落發(fā)生器的結(jié)構(gòu)和控制實現(xiàn)新型電壓跌落發(fā)生器的結(jié)構(gòu)和控制實現(xiàn)如圖1所示是一種典型的風(fēng)力發(fā)電機并網(wǎng)規(guī)范,當(dāng)電網(wǎng)電壓發(fā)生跌落故障,但是跌落幅度在粗實線以上的范圍之內(nèi)時,風(fēng)力發(fā)電機必須保持與電網(wǎng)連接。電壓跌落發(fā)生器即要產(chǎn)生粗實線以

7、上范圍的電壓跌落模擬電網(wǎng)的故障以檢測風(fēng)電系統(tǒng)的低電壓穿越能力。系統(tǒng)的IGBT驅(qū)動與保護(hù)電路包括IGBT驅(qū)動電路、IGBT開通死區(qū)電路和IGBT過流保護(hù)電路。IGBT驅(qū)動電路芯片是三菱公司的M57962AL,它采用15V與-10V雙電源供電,使關(guān)斷更為可靠。IGBT開通死區(qū)電路的作用是在IGBT雙向開關(guān)I、II的開通和關(guān)斷動作之間造成死區(qū),防止2個IGBT雙向開關(guān)同時導(dǎo)通造成調(diào)壓器的原、副邊短路,如圖4所示。IGBT雙向開關(guān)I、II的開通

8、死區(qū)時間可以通過改變死區(qū)電路中的電阻值或者電容值來調(diào)節(jié)。電壓跌落與恢復(fù)指令信號DIP既可來自DSP,也可以來自手動開關(guān)。IGBT過流保護(hù)電路使用電流檢測法以保護(hù)機組系統(tǒng)的安全。由電流傳感器檢測電壓跌落發(fā)生器的輸出電流,若出現(xiàn)瞬時過流,則驅(qū)動芯片進(jìn)入軟關(guān)斷狀態(tài)以避免IGBT過流損壞。3實驗結(jié)果實驗結(jié)果根據(jù)本文提出的電壓跌落發(fā)生器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方法進(jìn)行了實驗驗證。圖5所示為帶三相電阻負(fù)載的實驗波形,圖中方波為電壓跌落與DIP恢復(fù)指令信號,

9、3條正弦波為三相電阻兩端的電壓波形。圖5(a)、(b)是三相電壓對稱跌落至30%的實驗波形,調(diào)壓器原邊輸入電壓為110V。圖5(a)是電壓跌落瞬間的波形放大圖,圖5(b)是控制電壓跌落200ms后恢復(fù)300ms的波形圖。圖5(c)是三相電壓對稱跌落至15%的實驗波形,調(diào)壓器原邊輸入電壓為220V。第2行為跌落瞬間波形放大可以看出電壓跌落僅用了20μs。圖5(d)是三相電壓不對稱跌落的實驗波形,其中負(fù)序分量含20%,電壓跌落200ms之后

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