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1、重慶郵電大學(xué)碩士學(xué)位論文低電壓高線性度2.4GHzCMOSLNA的設(shè)計姓名:余運濤申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師:楊虹20110521重慶郵電大學(xué)碩士論文Abs仃actAnalyzingcircuitsfirStneedsaccuratemodels,thisthesisproposedasimpledesignmodeltoreflecttheworksituationofMOSFETinstronginversionan
2、dsaturationregionthroughtheresearchonshortchanneleffect111elarge—andsmall—signalfeaturescanbederivedwiththismodelUtilizingCadenceSpectreRFsimulatortoexecuteDCsimulationofaspecificMOSFETandusingMATLABfordatafittingandpara
3、meterextractionearlobtainthemainparametersappropriatefortheLNAdesignofthisthesisVerificationshowsthismodel、玩tllitsparameterscoincideswellwinlcircuit’SactualbehaviorConductedresearchonlowvoltageLNA,adoptedfoldedcascodestr
4、ucturetodesigna09V24GHzLNAbasedonTSMC’S018umCMOStechnologyUtilizingFoMtoevaluateitsoverallperformance,andthebiasvoltagethatmaximizedFoMhasbeenfoundthroughsimulationAshuntcapacitancebetweengateandsourceoftheinputstageWaSa
5、ddedtoeasethecontradictionsbetweennoiseandpowerconsumptionTwoLNAs、析msamebiascurrentbutdifferentcorlLrnon—gatePMOSchannelsizeshavebeendesignedtostudytheinfluenceofchannelsizeonckcuitperformance,whichindicatedthatinthisthe
6、sisLNAwimlargerPMOSchannelsizecallobtainbeaerperformanceLayouthasbeendesignedwitllCadenceVirtuosoAtlastSpectreRFsimulationresultsshowthat,underO9Vpowersupplyat24GHzreflectioncoefficientsaregood,noisefigureonlyO82dB,forwa
7、rdgainis1884dB,inputreferedthird—orderinterceptpoint(IIP3)is106dBmandpowerdissipationonly52mWTheoverallperformanceofthecircuitisfineLinearityofL]NAisanalyzedandaimprovedlinearityboostingtechniqueisproposedforabovelowvolt
8、ageLNAThatis,addinganauxiliarytransistorbiasedinweakinversionbetweenthesourceanddrainofthemaintransistormakingtherethirdorderintermodulationcanceleachotherthroughadjustmentoftheparametersIntermodulationdistortionoftheinp
9、utstageisanalyzedusingVolterraseriesSimulationonimprovedLNAbyAgilentADS2008showthatat24GHzanIIP3of24dBmisachieved塒n1goodinputmatch,noisefigureof1679dB,gainof20797dB,andapowerconsumptionof593roWwhichhasrealizedthetargetth
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