知識(shí)點(diǎn)復(fù)習(xí)資料(3)

1、1知識(shí)點(diǎn)1–成膜（第一份）1.Sputter設(shè)備生產(chǎn)FFS產(chǎn)品時(shí)，Glass表面溫度約為多少攝氏度（230）2.B3CFSheetID：CBM3X9803EFHG123400，各位號(hào)碼意思（）3.在B3CF分廠，下列選項(xiàng)中全部都有6軸（RobotRWLICLANLITO4個(gè)）4.各Line與設(shè)備之間的通訊協(xié)議是以下哪一項(xiàng)（）5.CSA、CSB、CSC及CSD中Crane數(shù)量分別為（121.1）6.下列靶材與Sputter背板直接接觸的物

2、質(zhì)是（氧化銦錫）7.B3CFITOLine共有多少個(gè)六軸Robot（4）8.正確的防塵服穿著順序是（）9.CF制作過(guò)程中32寸產(chǎn)品與18.5寸產(chǎn)品主要不同點(diǎn)（TN與FFS模式不同點(diǎn)）10.屬于PM時(shí)正確做法的是（）12Unpack裝Glass的是Crate，一般每個(gè)Crate裝0.7t的Glass的片數(shù)是（300）13.Sputter設(shè)備的腔體有Heater的腔體是（M3.1、M4.1、M5.1、M6.1、M7.1、M7.2、M6.2、

3、M5.2）15.B3CFSputter設(shè)備每個(gè)Carrier上Clamp的數(shù)量為（18）16.B3CFSputter使用的Carrier上部從玻璃邊緣到第一個(gè)Clamp的距離為（26mm）17.TFTLCD顯示器的顯示性能指標(biāo)包括（分辨率，色度，響應(yīng)速度對(duì)比度等）18.Carrier到達(dá)SputterProcessChamber時(shí)Carrier與Carrier之間的間隔為（重疊）19.量產(chǎn)時(shí)，SputterProcessChamber內(nèi)

4、通入的氣體為（氬氣和氧氣）20.在生產(chǎn)的過(guò)程中，設(shè)備重啟PLC后，哪個(gè)部分不需回到原（HOME）點(diǎn)（Magazine）342.TN模式ITO阻抗spec為（93%最大：無(wú)，最?。海?0%，平均：＞92%）45.TN模式玻璃鍍膜表面溫度（120）46.TN模式ITO膜要經(jīng)過(guò)Anneal的PBK工序是為了（使ITO結(jié)晶更完全）47.TN型產(chǎn)品經(jīng)過(guò)Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（93%）49.Sputter正常生產(chǎn)使用Carrier的數(shù)量

5、為（11）50.Sputter中起輝氣體是（Ar）51.Sputter設(shè)備共使用靶材的數(shù)量為（7）52.Sputter使用的陶瓷靶，其成分In2O3與SnO2的比例為（9:1）53.ITO特性值管控項(xiàng)目管控不包括（管控透過(guò)率，阻抗，膜厚）54.影響ITO膜厚的因素有（Power）56.提高成膜溫度對(duì)ITO薄膜的影響（結(jié)晶更完全）57.設(shè)定Carrier定期更換的主要作用是（防止OutGas引起的阻抗超標(biāo)）58.carrier更換后要進(jìn)行