利用摻鍺的重?fù)脚鸸枰r底生長無失配位錯的pp39;硅外延片

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文利用摻鍺的重?fù)脚鸸枰r底生長無失配位錯的p/p硅外延片姓名：江慧華申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：闕端麟;楊德仁20050501碩 士 學(xué) 位 論 文研究表明，鍺的摻入可以抑制硼的外擴(kuò)散，這可能是由于鍺和硼形成了G e ．B 對，從而阻礙硼的外擴(kuò)散。因此，利用摻鍺的重?fù)脚鸸枰r底生長的p ／p + 硅外延片的過渡區(qū)要比普通的p ／P + 硅外延片更窄。4 ．鍺對重?fù)脚鹬崩枰r底的氧沉淀的影響經(jīng)低高兩步退火

2、( 6 5 0 。C ／4 ～1 6 h + 1 0 0 0 ℃／1 6 h ) 后，摻鍺的重?fù)脚鸸铇悠分械捏w缺陷密度明顯低于一般的重?fù)脚鸸铇悠?，這是因?yàn)殒N摻入重?fù)脚鸸柚幸氲膹垜?yīng)力不利于氧沉淀的長大。經(jīng)8 0 0 ℃、9 5 0 。C 和1 0 5 0 ℃單步退火以及低高兩步退火( 8 0 0 。C ／4 ～1 2 8 h + 1 0 0 0℃／1 6 h ) 后，摻鍺的重?fù)脚鸸铇悠分畜w缺陷密度都遠(yuǎn)低于一般的重?fù)脚鸸铇悠贰＿@是由于鍺的