

已閱讀1頁,還剩54頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 用于HBT的鍺硅外延工藝優(yōu)化.pdf
- 基于UHVCVD的選擇性外延鍺硅與金屬誘導(dǎo)生長多晶鍺硅的研究.pdf
- UHVCVD外延生長——薄硅及鍺硅單晶薄膜.pdf
- UHV-CVD外延生長硅及鍺硅單晶薄膜.pdf
- 硅基鍺薄膜分子束外延生長與RHEED分析.pdf
- 基于多孔氧化鋁膜的硅基鍺納米異質(zhì)外延的研究.pdf
- 65nm高性能工藝流程之低溫選擇性鍺硅外延技術(shù)的研究.pdf
- 利用摻鍺的重?fù)脚鸸枰r底生長無失配位錯(cuò)的pp39;硅外延片
- P型硅外延片工藝技術(shù)的研究.pdf
- 擴(kuò)展電阻的測量方法和外延工藝優(yōu)化.pdf
- 集成電路制造中選擇性鍺化硅外延工藝研究.pdf
- 微晶硅鍺太陽電池的仿真與優(yōu)化.pdf
- 硅外延片生產(chǎn)工藝技術(shù)研究.pdf
- 絕緣體上應(yīng)變硅和硅鍺異質(zhì)結(jié)的微結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 硅外延裝備工藝控制軟件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 硼和磷摻雜的硅和鍺納米晶體的制備及應(yīng)用.pdf
- 硅、鍺襯底上稀土金屬氧化物薄膜的分子束外延生長、結(jié)構(gòu)及其物理特性.pdf
- 圖案硅襯底上鍺硅量子點(diǎn)生長.pdf
- 鎳硅、硅和鍺納米結(jié)構(gòu)的合成及其鋰離子電池的應(yīng)用.pdf
- 8英寸薄層硅外延片工藝設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
評論
0/150
提交評論