銅表面級蝕劑分子的表面增強(qiáng)拉曼光譜及電化學(xué)研究

1、上海師范大學(xué)碩士學(xué)位論文銅表面級蝕劑分子的表面增強(qiáng)拉曼光譜及電化學(xué)研究姓名：潘英騁申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：分析化學(xué)指導(dǎo)教師：楊海峰20120315摘要 上海師范大學(xué)碩上學(xué)位論文A P T D 分子膜對金屬銅具有良好的防腐性能，其防腐效率可以達(dá)到9 3 ．1 ％。S E R S 研究證明4 - A P T D 分子以C 2 ，N 3 和N 1 2 原子為位點(diǎn)以斜躺的方式吸附在銅電極表面。電化學(xué)原位S E R S 證明了，當(dāng)電位由．0 ．2

2、 V 到．0 ．6 V 的過程中，4 ．A P T D 分子的吸附構(gòu)型發(fā)生了改變。3 ．通過E I S ，電化學(xué)極化曲線和S E R S 討論了4 ．甲基．4 H ．3 ．巰基．1 ，2 ，4 一三氮唑( M T T L ) 在銅表面的自組裝分子層的電化學(xué)緩蝕性能。修飾M T T L 分子后銅電極的E I S 機(jī)理通過R ( Q R ) ( Q R ) ( C R ) 等效電路擬合。電化學(xué)極化曲線實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明M T T L 的防腐效率可

3、達(dá)到8 1 ．1 ％。S E R S 實(shí)驗(yàn)證明M T T L 分子以傾斜的構(gòu)型通過S 6 和N 2 原子與銅表面產(chǎn)生強(qiáng)烈的相互作用，并且在．0 ．5 V 電位下，存在只以S 6 為位點(diǎn)的吸附過渡態(tài)。4 ．E I S 和電化學(xué)極化曲線證實(shí)，修飾甲基咪唑( M M I ) 后銅表面的防腐性得到了改善。修飾M M I 后銅電極的E I S 原理與等效電路R ( Q ( I 涮) ) ( C R ) 一致。電化學(xué)極化曲線實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明M M I

4、對銅的防腐效率可達(dá)到9 1 ．2 ％。S E R S 結(jié)果證明，M M I 自組裝到銅表面并與之產(chǎn)生強(qiáng)烈作用，表現(xiàn)為以s 6 和N 2 原子為位點(diǎn)穩(wěn)定吸附在表面。原位電化學(xué)S E R S 表明，電位由0 到．1 ．6 V 變化時，M M l 分子膜的穩(wěn)定性隨之改變。關(guān)鍵詞：甲基咪唑( M M I ) ，2 - 氨基- 5 - ( 4 一吡啶) - 1 ，3 ，4 噻二唑( 4 ．A P T D ) ，4 ．甲基．4 H 一3 ．巰基．1