金電極對的電化學可控構(gòu)筑與表面增強拉曼光譜研究.pdf

1、近年來基于分子自組裝的自下而上構(gòu)建電子器件的方法以其獨特的優(yōu)勢成為最有可能取代傳統(tǒng)半導體電子器件的技術(shù)之一。在分子電子器件的研究中最基礎的技術(shù)之一就是將處于微觀世界的各種有機功能分子連接到宏觀的外電路中并對其電性能進行測量和控制，實現(xiàn)這一目標的手段通常是將有機分子連接到納米級或更小間距的金屬(通常是金)電極對兩端，因此制備這種電極對成為測量分子電性能、構(gòu)建分子電子器件的基本要素。針對目前制備納米級間距電極對成本高昂、設備復雜以及工藝繁瑣

2、的缺陷，我們提出了一種基于電化學可控腐蝕制備納米級金電極對方法，主要研究結(jié)果如下： 1)自行研制了一套反饋控制電路，可根據(jù)電路中參考電位的微小變化靈敏地控制金絲被腐蝕的程度以及斷開電化學控制的時機。通過調(diào)整控制電路參數(shù)以及腐蝕條件得到了一系列表面光滑、間距從幾納米到幾百納米的金電極對，利用鎢絲較好的剛性制備了間距較大至微米尺度的鎢電極對。該方法簡便且無需復雜的設備和技術(shù)，為進一步推廣分子電子器件的模型研究有提供實驗基礎。

3、 2)通過溶劑揮發(fā)的方法成功地在金電極對間構(gòu)筑了導電聚合物聚吡咯、聚3-己基噻吩(P3HT)以及聚苯乙烯磺酸聚3，4-乙撐二氧噻吩(PEDOT:PSS)的納米纖維，并通過電學和拉曼光譜學手段對其進行了表征，研究表明電極對可被聚合物納米纖維連接并表現(xiàn)出一定的導電性以及拉曼光譜頻率對外加電場的依賴性。 3)以對巰基苯(1，4-BDT)為標記分子得到了不同間距金電極對上的表面增強拉曼光譜(SERS)信號，實驗證明只有電極對間距縮小到一