基于電滲驅動納米壓印技術研究.pdf

1、LED圖形化行業(yè)對大面積納米圖形化具有巨大的需求，但現(xiàn)有各種微納米制造技術難以滿足其工業(yè)級生產(chǎn)的需求。盡管納米壓印被看作是最具潛能實現(xiàn)大面積納米圖形化的技術之一，但現(xiàn)有的大面積納米壓印存在的襯底翹曲易碎和填充不均勻的問題難以被解決。本文提出一種利用電滲驅動納米壓印新方式，其原理是用電滲流驅動力主動“提拉”光刻膠進入模具腔體來代替?zhèn)鹘y(tǒng)納米壓印中光刻膠被“擠壓”進入模具腔體，徹底解決納米壓印中尤其是大面積納米壓印中襯底翹曲易碎和填充不均勻的

2、難題。
　　提出一種基于PDMS軟模具結構的電滲驅動整片晶圓納米壓印的新工藝，用電滲驅動力代替?zhèn)鹘y(tǒng)納米壓印中施加在模板上的機械壓力，有效保護了大面積納米壓印中的翹曲、易碎型襯底。分析了電滲流的基本原理，參考電滲流在微流控芯片領域的應用，結合傳統(tǒng)大面積納米壓印中機械壓印力的施壓特點，推導出電滲驅動納米壓印代替?zhèn)鹘y(tǒng)納米壓印所需要的電場強度和填充時間。
　　應用多物理場仿真軟件COMSOL Multiophysics建立電滲驅動納

3、米壓印理論模型，并對影響其填充的參數(shù)進行了數(shù)值分析。通過分析，得出如下結論:光刻膠填充進入模具腔體的速度特性是先快后慢，總體填充速度較快;電場強度越大、模具腔體深度越深，在相等的時間內，光刻膠的復型高度越大;而對于模具腔體的寬度、光刻膠的粘度和密度、填充膜厚這些因素對光刻膠填充高度的影響有限，不如電場強度和模具腔體深度對光刻膠填充高度影響明顯。
　　在有限元模擬結果出現(xiàn)之后，為驗證有限元結果的準確性，設計了實驗平臺。分析了不同的實