萘酰亞胺并咪唑受體和噻吩與咔唑給體側(cè)鏈聚硅氧烷的合成及其存儲性能.pdf

1、硅基半導(dǎo)體作為人類信息技術(shù)的材料基礎(chǔ)已有六十年的歷史，隨著信息技術(shù)不斷發(fā)展以及多媒體終端不斷小型化，對于存儲器的存儲密度提出了更高的要求。人們通過開發(fā)精密的光刻技術(shù)和先進(jìn)的制造工藝，不斷使器件微型化，極大提高了存儲器的存儲密度?，F(xiàn)在，器件微型化已經(jīng)面臨著種種物理極限的限制，必須尋找新的思路來解決存儲密度的問題。
　　本實驗將帶有兩個吸電子基團(tuán)的萘酰亞胺并咪唑受體和咔唑、三聯(lián)噻吩給體引入到聚硅氧烷中作為側(cè)鏈，合成了聚硅氧烷PNDIS

2、i-alt-CzSi和PNDISi-alt-T3Si。DSC和TG測試結(jié)果表明它們的熱力學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異。AFM測試表明PNDISi-alt-CzSi和PNDISi-alt-T3Si薄膜表面形態(tài)結(jié)構(gòu)良好，膜表面均勻、平整。電化學(xué)測試表明兩種聚硅氧烷的LOMO均位于萘酰亞胺并咪唑上，并且出現(xiàn)了兩次氧化現(xiàn)象，HUMO位于苯基咔唑和三聯(lián)噻吩上。分子模擬結(jié)果與電化學(xué)測試結(jié)果一致。半導(dǎo)體參數(shù)儀測試表明ITO/PNDISi-alt-CzSi/Au和IT