基于a-IGZO薄膜材料的半導(dǎo)體器件.pdf

1、近十幾年來，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)已經(jīng)成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)，并且得到了廣泛的應(yīng)用，它將有望成為下一代顯示器的驅(qū)動元件;平面自開關(guān)二極管自提出以來，由于它的制備工藝簡單以及平面特性，得到了廣泛的研究。本研究分為兩個(gè)部分：
　　⑴以SiO2為絕緣層制備優(yōu)良的a-IGZO TFT，找到相對合適的a-IGZO濺射功率，濺射氣體，成膜厚度，退火條件以及源漏電極材料。然后我們基于以上條件，制備以PMMA(

2、polymethyl methacrylate)為絕緣層的高性能非晶IGZO TFT，在這期間我們研究了PMMA的退火溫度對器件性能的影響，退火溫度分別為120℃，130℃，140℃，150℃，我們發(fā)現(xiàn)退火溫度過低，器件的漏電流較大，器件的成品率越低，在150℃的退火條件下，器件最穩(wěn)定，漏電流最小，成品率最高;我們還研究了IGZO界面處理對器件的性能影響，我們分別對IGZO界面作了如下處理:150℃烘烤20分鐘，UV ozone處理20

3、分鐘，UV ozone20分鐘后接著150℃烘烤20分鐘，以及對界面不作任何處理，我們發(fā)現(xiàn)對IGZO的界面作以上處理，影響并不大;我們還對PMMA絕緣層作了如下處理:UV-ozone處理20分鐘，UV-ozone處理20分鐘后接著150℃烘烤20分鐘，紫外曝光10分鐘，發(fā)現(xiàn)不作處理的器件性能最好。然后，我們研究了用不同設(shè)備制備柵電極對器件的影響，比如Ti，Al，發(fā)現(xiàn)用熱蒸發(fā)制備的Al電極最好。
　　⑵用濺射制備了30nm的非晶IG