基底溫度等因素對薄膜生長影響的Monte Carlo模擬研究.pdf

1、薄膜材料是一類重要的功能材料，在當(dāng)代高技術(shù)中有著極其重要的應(yīng)用。研究薄膜生長的理論對于發(fā)展新性能的新型材料及提高傳統(tǒng)薄膜材料的質(zhì)量和性能有著一定的指導(dǎo)作用?；谟嬎銠C技術(shù)而發(fā)展的數(shù)學(xué)建模和模擬是薄膜生長理論研究的一類重要方法。
　　本研究論文參考己有的生長模型，結(jié)合薄膜生長理論及實驗結(jié)果，建立了一個帶有缺陷基底的三維Monte Carlo模型，研究了基底溫度、粒子能量、粒子入射率、粒子行走步數(shù)對Cu(100)面的薄膜生長初期的影響

2、，得到許多有意義的結(jié)果。
　　首先，介紹了薄膜生長模擬的方法和國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。闡述了亞單層膜和多層膜的生長過程，介紹了成核的毛細(xì)作用，薄膜生長模擬的三種方法，并對三種方法討論了其優(yōu)缺點。說明了基底實際上是不均勻的，有多缺陷，遷移、蒸發(fā)是以相應(yīng)概率形式?jīng)Q定的，為后面的模擬做了必要的理論準(zhǔn)備。
　　其次，建立了一個帶有缺陷基底的三維Monte Carlo模型。模型中采用了周期性邊界條件，考慮了粒子在表面的擴散、層間的擴