Si-,3-團(tuán)簇的勢(shì)能函數(shù)研究.pdf

1、本文通過從頭計(jì)算研究Si2的勢(shì)能曲線和Si3分子的勢(shì)能面，并進(jìn)一步研究硅團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。為了熟悉掌握勢(shì)能函數(shù)的計(jì)算方法和計(jì)算技巧，首先對(duì)過渡金屬二聚物ScN分子的勢(shì)能函數(shù)進(jìn)行了計(jì)算。采用高精度的從頭算（ab initio）方法-多參考組態(tài)相互作用方法（MRCI）和不同的基組計(jì)算了ScN分子基態(tài)和激發(fā)態(tài)的勢(shì)能曲線，借助LEVEL或者M(jìn)OLCAS程序求解分子中核運(yùn)動(dòng)的薛定諤方程，得到了各電子態(tài)的光譜常數(shù)，與實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行比較。在對(duì)硅團(tuán)簇體系勢(shì)

2、能函數(shù)的研究過程中，為了探索合適的從頭計(jì)算方法，分別采用單參考組態(tài)耦合團(tuán)簇（CCSD（T））、完全活性空間自洽場(chǎng)（CASSCF）、MRCI幾種不同的計(jì)算方法對(duì)Si2分子基態(tài)的勢(shì)能曲線進(jìn)行計(jì)算，通過對(duì)比確定計(jì)算方法的可靠性。并利用MRCI方法和aug-cc-pVTZ基組對(duì)Si2分子及其離子的基態(tài)和各激發(fā)態(tài)進(jìn)行計(jì)算，運(yùn)用非線性曲線擬合方法和Murrel-Sorbie（MS）勢(shì)能函數(shù)表達(dá)式對(duì)所得勢(shì)能曲線進(jìn)行擬合，得到各個(gè)電子態(tài)的解析勢(shì)能函數(shù)（

3、APEFs），并由此確定了各個(gè)電子態(tài)的光譜常數(shù)，與實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行對(duì)比。對(duì)于Si3體系，根據(jù)Si2分子勢(shì)能函數(shù)研究中對(duì)計(jì)算方法的分析，分別采用CCSD（T）和CASSCF的計(jì)算方法及aug-cc-pVTZ基組，對(duì)Si3分子基態(tài)進(jìn)行了大量能量點(diǎn)的從頭計(jì)算?；趶念^算結(jié)果，采用多體展式方法，以Si2分子勢(shì)能函數(shù)研究中確定的兩體項(xiàng)為基礎(chǔ)，用Sorbie-Murrell（SM）勢(shì)能函數(shù)表達(dá)三體項(xiàng)，通過最小二乘法擬合得到了Si3分子基態(tài)的解析勢(shì)能函數(shù)。