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文檔簡(jiǎn)介
1、本文以ZnS量子點(diǎn)的制備工藝及材料特性為研究方向,文獻(xiàn)調(diào)研和研究背景綜述介紹了Ⅱ-Ⅵ族特別是ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料的研究進(jìn)展、應(yīng)用與存在的問題;闡述了液相沉淀法制備ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的成核原理及表面修飾包覆原理;深入探討了ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)的能級(jí)結(jié)構(gòu)與光譜特征;通過透射電鏡、吸收光譜、熒光光譜等手段對(duì)本工藝制備的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料進(jìn)行了表征與對(duì)比分析,得到了制備具有完善表面包覆的ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)熒光材料的最佳參數(shù),并就相關(guān)的熒光促
2、進(jìn)與淬滅現(xiàn)象提出了唯象解釋。主要研究成果如下:
1.均勻液相沉淀法結(jié)合表面修飾技術(shù),在水溶液中室溫下合成具有巰基乙酸表面包覆的半導(dǎo)體ZnS量子點(diǎn),通過優(yōu)化實(shí)驗(yàn)裝置及反應(yīng)條件(pH值、濃度等),最終成功合成了粒徑2-4nm近似球形具有良好的可溶性、分散度、完善表面包覆的半導(dǎo)體ZnS量子點(diǎn)。
2.結(jié)合實(shí)驗(yàn)過程、表征結(jié)果與理論模型,分析討論了實(shí)驗(yàn)條件(如裝置的設(shè)計(jì)、pH值、反應(yīng)物濃度、配比關(guān)系等),對(duì)ZnS量子點(diǎn)粒
3、徑、尺寸控制、分散性、熒光性能等的影響,提出了優(yōu)化措施,確定了最佳條件參數(shù),最佳初始pH值在10.5-11.5范圍內(nèi),反應(yīng)結(jié)束調(diào)整pH值在11-12范圍內(nèi),最佳反應(yīng)物配比濃度nZnCl2:nNa2S=5:4,在此條件下最佳ZnCl2.Na2S、巰基乙酸物質(zhì)的量比為1:1:2。
3.紫外可見熒光光譜測(cè)試的結(jié)果表明樣品的特征吸收峰相對(duì)于XnS體材料339nm的吸收峰有明顯的藍(lán)移,表明所生成的量子點(diǎn)表現(xiàn)出明顯的量子尺寸效應(yīng)。同時(shí)
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