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1、Ⅲ-Ⅴ族半導體材料GaAs的高密勒指數(shù)表面和金屬表面自擴散生長的機制研究是目前表面科學研究的熱點問題。本文根據(jù)目前實驗上已有的研究結(jié)果，對GaAs高密勒指數(shù)(114)表面原子和電子結(jié)構(gòu)以及面心立方(FCC)金屬表面上一種原子向上擴散生長形成量子點的生長機制進行了第一性原理和經(jīng)驗分子動力學的理論計算和研究。得到如下一些結(jié)論：1.GaAs高密勒指數(shù)(114)表面的計算研究,基于密度泛函理論的第一性原理計算研究用的是VASP軟件包進行的。依據(jù)
2、計算結(jié)果重構(gòu)后表面形成兩個As-As的二聚體(dimer)鍵和兩個Ga-Ga的新鍵，重構(gòu)后表面的帶結(jié)構(gòu)從金屬性轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽w性，表面帶隙為0.8eV。分析表面能帶結(jié)構(gòu)的變化及表面帶隙的出現(xiàn)，主要是由于表面重構(gòu)二聚體鍵的形成和表面電荷的轉(zhuǎn)移。2.FCC金屬(110)表面原子向上擴散生長機制的模擬,采用半經(jīng)驗嵌入原子(EAM)勢的分子動力學方法，研究了面心立方結(jié)構(gòu)金屬Al、Cu的(110)表面在同質(zhì)外延生長過程中一種原子向上擴散生長的機制。用
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