金屬離子印跡聚合物（膜）的制備及其吸附性能研究.pdf

1、低含量待測分析物的檢測通常需要依靠合適的分離/預富集過程?；诜肿幼R別的分離技術，因其對目標分子具有較高的吸附選擇性而在許多領域倍受關注。分子印跡技術(Molecular Imprinting technique，MIT)是以特定分子為模板，制備出對目標分子具有專一識別性能的聚合物技術，在分離提純、免疫檢測、生物模擬和痕量分析領域展現(xiàn)出廣闊的應用前景。本文將分子印跡技術應用到金屬聚合物的制備上，采用銅離子為印跡離子，分別制備了銅離子印跡

2、聚合物及以PVDF膜為支撐膜的銅離子印跡聚合物膜，并研究了其分子識別性能及吸附、滲透性能。論文包括以下四個方面： 1.論文首先對MIT的基本原理、分子印跡聚合物和金屬離子印跡聚合物的制備和應用進行了較為全面的綜述，概述了金屬離子印跡聚合物領域的相關研究進展。 2.選用銅離子作為印跡離子，甲基丙烯酸，丙烯酰胺和N，N-亞甲基雙丙烯酰胺為配合功能單體，EGDMA和AIBN分別用作交聯(lián)劑和引發(fā)劑，在充氮的環(huán)境下熱引發(fā)合成聚合物

3、。合成的聚合物中的銅離子用1:1的HCl和EDTA來洗脫。結果表明銅離子印跡聚合物相對于空白聚合物而言，對銅離子有更高的吸附性能，銅離子印跡聚合物對銅離子的吸附容量為42.2mg.g-1，空白聚合物的吸附容量為18.2mg.g-1。另外，在其它金屬離子存在的情況下，該聚合物對銅離子有非常好的選擇吸附性能(Cu(Ⅱ)>Mg(Ⅱ)>Zn(Ⅱ)>Mn(Ⅱ))。同時還研究了銅離子印跡聚合物的吸附動力學過程和等溫吸附曲線，實驗結果顯示，其吸附過程

4、與Langmuir方程相吻合。 3.選用銅離子作為印跡離子，EGDMA和AIBN分別用作交聯(lián)劑和引發(fā)劑，同時選用兩種功能單體與印跡金屬離子配合生成三元配合物。合成的聚合物中的銅離子用1:1的HCl和EDTA來洗脫。對洗脫后的聚合物做了掃描電鏡和紅外光譜分析，同時研究了其在不同條件下對金屬離子的吸附性能。實驗結果顯示，該聚合物對銅離子有較好的選擇吸附性。 4.采用分子印跡技術紫外光引發(fā)聚合的方法制備了帶支撐膜的銅離子印跡聚