金屬離子印跡聚合物（膜）的制備及其吸附性能研究.pdf

1、低含量待測分析物的檢測通常需要依靠合適的分離/預(yù)富集過程?；诜肿幼R(shí)別的分離技術(shù)，因其對目標(biāo)分子具有較高的吸附選擇性而在許多領(lǐng)域倍受關(guān)注。分子印跡技術(shù)(Molecular Imprinting technique，MIT)是以特定分子為模板，制備出對目標(biāo)分子具有專一識(shí)別性能的聚合物技術(shù)，在分離提純、免疫檢測、生物模擬和痕量分析領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。本文將分子印跡技術(shù)應(yīng)用到金屬聚合物的制備上，采用銅離子為印跡離子，分別制備了銅離子印跡

2、聚合物及以PVDF膜為支撐膜的銅離子印跡聚合物膜，并研究了其分子識(shí)別性能及吸附、滲透性能。論文包括以下四個(gè)方面： 1.論文首先對MIT的基本原理、分子印跡聚合物和金屬離子印跡聚合物的制備和應(yīng)用進(jìn)行了較為全面的綜述，概述了金屬離子印跡聚合物領(lǐng)域的相關(guān)研究進(jìn)展。 2.選用銅離子作為印跡離子，甲基丙烯酸，丙烯酰胺和N，N-亞甲基雙丙烯酰胺為配合功能單體，EGDMA和AIBN分別用作交聯(lián)劑和引發(fā)劑，在充氮的環(huán)境下熱引發(fā)合成聚合物

3、。合成的聚合物中的銅離子用1:1的HCl和EDTA來洗脫。結(jié)果表明銅離子印跡聚合物相對于空白聚合物而言，對銅離子有更高的吸附性能，銅離子印跡聚合物對銅離子的吸附容量為42.2mg.g-1，空白聚合物的吸附容量為18.2mg.g-1。另外，在其它金屬離子存在的情況下，該聚合物對銅離子有非常好的選擇吸附性能(Cu(Ⅱ)>Mg(Ⅱ)>Zn(Ⅱ)>Mn(Ⅱ))。同時(shí)還研究了銅離子印跡聚合物的吸附動(dòng)力學(xué)過程和等溫吸附曲線，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，其吸附過程

4、與Langmuir方程相吻合。 3.選用銅離子作為印跡離子，EGDMA和AIBN分別用作交聯(lián)劑和引發(fā)劑，同時(shí)選用兩種功能單體與印跡金屬離子配合生成三元配合物。合成的聚合物中的銅離子用1:1的HCl和EDTA來洗脫。對洗脫后的聚合物做了掃描電鏡和紅外光譜分析，同時(shí)研究了其在不同條件下對金屬離子的吸附性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，該聚合物對銅離子有較好的選擇吸附性。 4.采用分子印跡技術(shù)紫外光引發(fā)聚合的方法制備了帶支撐膜的銅離子印跡聚