簡介：隨車起重機是將起重機安裝在載貨汽車上的一種起重裝置，具有起重、運輸功能，同時具有機動、靈活、裝卸方便等特點，應(yīng)用廣泛。隨車起重機主要分為直臂卷揚式和折臂式兩大類。直臂式吊機有鋼絲繩、卷揚機構(gòu)，收回后體積較大，起升中用鋼絲繩卷揚機構(gòu)完成，作業(yè)平穩(wěn)，定位準確；折臂式吊機吊臂可折疊，收回后體積較小，起升動作完全由油缸的組合動作完成，作業(yè)效率高，適于配裝多種輔具，但穩(wěn)定性較差。折臂式隨車起重機是當(dāng)前發(fā)展的主要模式。吊臂是隨車起重機的關(guān)鍵部件。本文重點對5噸以上的中大噸位折臂式隨車起重機的吊臂等截面箱型套裝結(jié)構(gòu)進行了分析，主要研究了影響吊臂工藝設(shè)計的各種影響因素，提出了多種相應(yīng)的控制措施，設(shè)計了整體工藝方案，并針對伸縮臂和固定臂進行了工藝設(shè)計。在完成工藝設(shè)計的同時本文針對特定的關(guān)鍵質(zhì)量控制問題進行了研究各伸縮臂、特別是固定臂的焊接變形難于控制，所導(dǎo)致的加工后的吊臂形位公差超差嚴重，通過對各種影響因素的分析和結(jié)合實驗得出了對接焊縫施焊的各項技術(shù)參數(shù)，并制定了包括反變形等多種工藝措施進行變形控制。通過按制定的工藝方案和對吊臂焊接變形的控制措施的實施，進行了樣件試制，工件質(zhì)量達到了設(shè)計要求，本文的研究對生產(chǎn)有重要的指導(dǎo)意義。

簡介：壓裂改造是安塞油田主體工藝技術(shù)之一。多年的探索實踐表明，重復(fù)壓裂還存在增產(chǎn)機理認識不清、選井選層標準模糊、配套工藝還不完善；油井堵塞機理與酸化解堵工藝適應(yīng)性還需進一步研究，中高含水和低壓油井的增產(chǎn)技術(shù)還需研究試驗等問題。突出表現(xiàn)為隨著注水開發(fā)時間的延長，老井逐漸表現(xiàn)出低產(chǎn)低效、采油指數(shù)下降等趨勢，并且區(qū)塊綜合含水上升，產(chǎn)量遞減率增大，裂縫主向油井與側(cè)向油井開發(fā)矛盾突出，不利于油田穩(wěn)產(chǎn)。本文結(jié)合安塞油田的地質(zhì)特征，分析認為初期改造規(guī)模偏小，導(dǎo)流能力逐漸降低時限制油井產(chǎn)能的重要因素。在對暫堵壓裂機理研究的基礎(chǔ)上，提出了對暫堵劑、轉(zhuǎn)向劑、裂縫長度、施工排量、加砂量和級數(shù)優(yōu)化的原理和方法，并分別優(yōu)選了杏河、王窯、候市、坪橋區(qū)塊壓裂工藝參數(shù)?，F(xiàn)場檢測表明，暫堵壓裂可以實現(xiàn)堵老縫壓新縫的要求，統(tǒng)計了397口施工井的生產(chǎn)數(shù)據(jù)，有效井平均單井增油721噸，平均天數(shù)669天。

簡介：本文針對深圳地區(qū)特定水質(zhì)研究了臭氧高錳酸鉀復(fù)合預(yù)氧化對常規(guī)飲用水處理工藝的強化特性并且對深圳地區(qū)飲用水溴酸鹽生成問題和生成的影響因子進行了研究本文主要包括三個方面的研究一是臭氧高錳酸鉀復(fù)合預(yù)氧化對常規(guī)工藝濁度、藻類去除的強化以及對氯化消毒副產(chǎn)物前體物和溴酸鹽的控制二是對深圳地區(qū)原水中溴離子濃度進行調(diào)查并通過小試試驗考察了采用臭氧化工藝時溴酸鹽生成的風(fēng)險三是考察溴酸鹽生成的各影響因子的影響程度研究結(jié)果表明采用高錳酸鉀先氧化加上臭氧后氧化的預(yù)氧化方式可對混凝沉淀起到促進作用沉后水的濁度相比沒有預(yù)氧化工藝下降了15％以上并且對藻類的去除也從846％提高到93％同時對氯化消毒副產(chǎn)物前體物及溴酸鹽都具有較好的控制作用深圳地區(qū)水庫中的溴離子平均濃度屬低濃度水平但河流和地下水中的溴離子濃度較高在本研究建議的預(yù)臭氧復(fù)合工藝及主臭氧化條件下深圳水庫原水不會構(gòu)成溴酸鹽超標風(fēng)險對于全市90％的水庫溴酸鹽生成量低于15ΜGL溴酸鹽生成的7個影響因子的影響程度大小順序為PHOTUVBRNHT臭氧多級投加可以減少溴酸鹽的生成量本研究中臭氧四級投加可比單級投加時減少50％的溴酸鹽生成量總之臭氧高錳酸鉀復(fù)合預(yù)氧化工藝對于深圳地區(qū)水質(zhì)來說是一種高效的飲用水處理工藝不僅能夠?qū)ΤＲ?guī)水質(zhì)指標進行強化而且還能控制消毒副產(chǎn)物的生成不存在溴酸鹽超標的風(fēng)險

簡介：電刷鍍是一種快速電沉積技術(shù)在工件磨損表面修復(fù)、零件表面改性、機電產(chǎn)品再制造方面起到了重要的作用。但是由于傳統(tǒng)電刷鍍技術(shù)存在工藝參數(shù)受操作者的影響鍍層均勻性差、工作效率低等缺點制約了電刷鍍技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。數(shù)控流鍍技術(shù)將數(shù)控加工的柔性和傳統(tǒng)的電刷鍍技術(shù)結(jié)合在起能夠有效解決以上傳統(tǒng)電刷鍍存在的問題。數(shù)控流鍍是將舍有高濃度金屬離子的電鍍液本文使用鎳磷鍍液通過液泵以一定流量、流速循環(huán)流過陽極與陰極構(gòu)成的電鍍空間在計算機的控制下陰極工件表面獲得細晶鍍層的快速電沉積技術(shù)本文構(gòu)建了數(shù)控流鍍試驗裝置并在此試驗裝置上進行了相關(guān)工藝試驗。首先分析了數(shù)控流鍍的基礎(chǔ)理論對流鍍區(qū)域陰陽極間電場分布進行了有限元分析。從電沉積理論方面對流鍍的影響參數(shù)、提高鍍層質(zhì)量和鍍層沉積效率措施方面進行了探討得出了一些初步結(jié)論為之后的數(shù)控流鍍試驗提供理論指導(dǎo)。其次構(gòu)建了數(shù)控流鍍試驗裝置以及完成了數(shù)控流鍍基礎(chǔ)工藝試驗研究。該試驗裝置數(shù)控系統(tǒng)是基于PMAC的開放式系統(tǒng)較好滿足了工藝試驗的要求。在此基礎(chǔ)上進行了數(shù)控流鍍基礎(chǔ)工藝試驗研究得出了各因素對鍍層界面結(jié)合強度和表面粗糙度的影響大小并獲得了鍍層沉積速度的最優(yōu)工藝參數(shù)組合。最后進行了齒面輪廓的流鍍試驗。主要分析了數(shù)控流鍍直齒輪面的刀具軌跡和數(shù)控程序編制等技術(shù)問題將之前基礎(chǔ)試驗的相關(guān)結(jié)論運用其中流鍍出齒輪面。

簡介：分類號UDC密級編號午I初大粵CENTRALSOUTHUNIVERSITY碩士學(xué)位論文論文題目金川低品位鎳礦礦物學(xué)特性及選礦工藝技術(shù)研究學(xué)科、專業(yè)礦物加工工程研究生姓名廖乾導(dǎo)師姓名及專業(yè)技術(shù)職務(wù)馮其明教授分類號VDC碩士學(xué)位論文密級IIIIIILLLLLIILLLILILLLLLIIIIIIILLLILLL／LLLY1720580金111T1乇品位鎳礦礦物學(xué)特性及選礦工藝技術(shù)研究STUDYONMINERALOGYPROCESSANDBENEFICIATIONTECHNOLOGYOFNICKELOREWITHLOWGRADEINJINCHUAN作者姓名廖乾學(xué)科專業(yè)礦物加工工程二級學(xué)院資源加工與生物工程學(xué)院指導(dǎo)教師馮其明教授論文答辯日期上幽蝴答辯委員會主席麴匐茲么中南大學(xué)二OO年五月

簡介：離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中一項非常重要的技術(shù)。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展器件尺寸越來越小集成度越來越高半導(dǎo)體工藝也越來越復(fù)雜離子注入技術(shù)己成為近幾十年來在國際上得到蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的高新技術(shù)并在整個IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中扮演著極其重要的角色。論文首先介紹了離子注入技術(shù)的原理及特點并與傳統(tǒng)的熱擴散摻雜進行比較在此基礎(chǔ)上討論了在實際工藝中離子注入摻雜時應(yīng)注意的幾個問題。由于離子注入具有對摻雜濃度、深度的可控性以及穩(wěn)定的可重復(fù)性因此該工藝成為VLSI生產(chǎn)中不可或缺的摻雜技術(shù)在現(xiàn)代集成電路制造中發(fā)揮著越來越重要的作用。借助器件／工藝仿真工具ISETCAD本文對離子注入及退火工藝進行了模擬和仿真并對影響離子注入的幾個參數(shù)進行了優(yōu)化設(shè)計。結(jié)合現(xiàn)代CMOS工藝條件下NMOS管的實際生成過程分別從雜質(zhì)注入劑量、注入能量、注入角度以及退火時間和溫度等條件下進行了仿真模擬并得到了與實際生產(chǎn)較為吻合的仿真結(jié)果。根據(jù)仿真結(jié)果當(dāng)注入劑量為70E15CM2注入能量為20KEV時對應(yīng)摻雜濃度較高；注入能量為60KEV退火溫度為1150℃退火時間為25S時結(jié)深達到最大值這對于在實際工藝中如何控制結(jié)深及摻雜濃度分布提供了一定的指導(dǎo)意義。最后結(jié)合半導(dǎo)體工藝進入更小尺寸工藝后器件出現(xiàn)的新問題文章預(yù)測了半導(dǎo)體集成電路發(fā)展對離子注入技術(shù)的挑戰(zhàn)并據(jù)此分析了離子注入技術(shù)的發(fā)展趨勢。

簡介：點擊查看更多VES--CO2泡沫壓裂工藝技術(shù)研究--延長上古生界氣藏.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：變?nèi)荻O管是一種結(jié)電容隨外加偏壓非線性變化的二極管，其可實現(xiàn)微波變頻、壓控振蕩等。對于一個給定的電壓變化，超突變結(jié)變?nèi)荻O管比突變結(jié)變?nèi)荻O管提供更大的電容變化，此外在有限電壓范圍內(nèi)，還具有頻率與電壓的線性特征?；诠韫に嚨某蛔兘Y(jié)變?nèi)荻O管在商業(yè)電視調(diào)諧器、軍用電臺調(diào)諧器等中有許多應(yīng)用。論文介紹了超突變結(jié)變?nèi)荻O管的理論基礎(chǔ)，詳細討論了超突變結(jié)變?nèi)荻O管的幾何結(jié)構(gòu)、濃度分布、工藝參數(shù)、電學(xué)參數(shù)等的設(shè)計方法；采用TCAD軟件完成了超突變結(jié)變?nèi)荻O管的結(jié)構(gòu)、電性能、工藝參數(shù)等的設(shè)計；在中國電子科技集團第五十五研究所微波毫米波兩端器件硅工藝線上，分別利用離子注入擴散法和雙離子注入法完成器件制作，詳細討論了關(guān)鍵工藝的解決辦法，提高了的工藝重復(fù)性和成品率；采用此設(shè)計和工藝方法大大縮短了研制周期、降低了生產(chǎn)成本；最后介紹了器件的測試方法和可靠性試驗。采用此設(shè)計和工藝方法生產(chǎn)的系列產(chǎn)品可提供各種封裝形式，具備提供多種質(zhì)量等級成品器件的能力，產(chǎn)品質(zhì)量等級最高為航天級，兩年來實現(xiàn)約500萬的經(jīng)濟效益，對于打破國外禁運和技術(shù)封鎖有著重要的意義。

簡介：本課題首先對安陽鋼廠超低碳鋼的冶煉技術(shù)現(xiàn)狀做了簡要分析，然后采用物理模擬研究的方法系統(tǒng)研究了RH設(shè)備內(nèi)鋼液的流動、混合特性，以期對設(shè)備潛力的發(fā)揮和工藝優(yōu)化提供指導(dǎo)。物理模擬研究在120TRH裝置1545的水模型中進行，考察了該冶金反應(yīng)器主要結(jié)構(gòu)參數(shù)和工藝操作因素，包括插入管內(nèi)徑、驅(qū)動氣體流量、浸入深度、鋼水處理量對循環(huán)流量、均混時間、停留時間分布的影響。主要內(nèi)容1用皮托管測定下降管內(nèi)液體流速，從而測定循環(huán)流量的方法，研究真空循環(huán)精煉中鋼液的環(huán)流特性；2以電導(dǎo)法測定了鋼包內(nèi)流體的混合時間；用脈沖響應(yīng)法獲得了RH真空室內(nèi)的停留時間分布，進而研究RH體系鋼液流動的混合特性。所獲得的主要結(jié)論如下。1循環(huán)流量的影響因素大致可歸結(jié)為驅(qū)動氣體流量、插入管內(nèi)徑、浸入深度、鋼水處理量等。循環(huán)流量隨氣體流量、插入管浸入深度和內(nèi)徑的增加而增大。2在水模型條件下，得出循環(huán)流量與提升氣體流量之間的關(guān)系為Q1548VG0321。3RH精煉過程中流體混合的主要動能來源于經(jīng)下降管流出真空室的鋼液的動能，也就是循環(huán)流量。均混時間隨提升氣量、插入管浸入深度及其內(nèi)徑的增大而減小。這種影響，尤以提升氣體流量的影響為最，并且有Τ9595207149VG的關(guān)系。至于鋼水處理量，在提升氣體流量10～16M3H范圍內(nèi)，物理模擬110～130T鋼水處理量時的均混時間都在60～80S之間，說明該套設(shè)備是能夠滿足生產(chǎn)需要的，并且具有一定的擴容條件。實驗還得到了在水模型條件下均混時間與攪拌功率密度之間的關(guān)系為Τ1318Ε0287。4RH真空室內(nèi)鋼液的平均停留時間隨提升氣量、插入管內(nèi)徑的增大而減小。但是，鋼水處理量、浸入深度對鋼液平均停留時間的影響規(guī)律不是簡單的線性關(guān)系，而是這些參數(shù)引起循環(huán)流量的變化對體系攪拌程度與它們所引起的真空室內(nèi)鋼液熔池深度變化而造成理論空時的變化綜合作用的結(jié)果。5根據(jù)實驗所測定的ET曲線的形態(tài)，對RH真空室內(nèi)的流體流動可采用“全混流活塞流死區(qū)”的組合模型來分析，并且獲得了各區(qū)體積比例的計算式。提高提升氣體流量、擴大插入管內(nèi)徑和浸入深度都有利于擴大全混流體積比例，減小死區(qū)。6該實驗體系下的停留時間分布函數(shù)的方差在03～05范圍內(nèi)。說明RH真空室內(nèi)的流體處于全混流與活塞流之間。運用槽列模型計算串聯(lián)槽數(shù)N為2～3，可進一步說明RH鋼包內(nèi)液體經(jīng)過2～3次循環(huán)能夠?qū)崿F(xiàn)較好混合。

簡介：計算機輔助裝配工藝規(guī)劃與選配可有效的縮短產(chǎn)品裝配工藝設(shè)計和裝配生產(chǎn)的周期，對產(chǎn)品快速開發(fā)過程的實現(xiàn)具有重要意義。本文在深入分析裝配工藝規(guī)劃與選配技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀基礎(chǔ)之上，針對燃氣渦輪發(fā)動機的結(jié)構(gòu)和裝配工藝特點，提出了裝配工藝規(guī)劃與選配系統(tǒng)中若干關(guān)鍵技術(shù)的解決方案，并且開發(fā)了燃氣渦輪發(fā)動機裝配工藝規(guī)劃與選配系統(tǒng)。研究了支持裝配工藝規(guī)劃與選配的裝配模型表達與建立方法。采用層次結(jié)構(gòu)和連接關(guān)系相結(jié)合的方法表達裝配體，提出連接副概念建模裝配關(guān)系并對其進行詳細的分類和屬性定義，可有效的支持裝配工藝規(guī)劃中對產(chǎn)品高層裝配語義的信息需要；提出關(guān)系碼矩陣來表達裝配體零部件之間的接觸和干涉信息，滿足了裝配工藝規(guī)劃對產(chǎn)品底層幾何和拓撲結(jié)構(gòu)的信息需求。給出了基于零部件之間接觸和干涉分析的裝配關(guān)系碼矩陣生成算法，并且交互式生成層次關(guān)系模型。研究了基于關(guān)系碼矩陣的裝配工藝規(guī)劃。提出了關(guān)系碼之間若干運算準則和關(guān)系碼矩陣的變換方法。研究了基于事例推理的裝配工藝規(guī)劃。提出了以連接副為索引的裝配結(jié)構(gòu)比較方法。提出了綜合幾何推理和事例推理的裝配工藝規(guī)程生成方法。結(jié)合基于關(guān)系碼矩陣的運算和從裝配工藝事例中獲得裝配約束，應(yīng)用遺傳算法搜索和優(yōu)化裝配順序。研究了產(chǎn)品的計算機輔助選配。建立了的燃氣渦輪發(fā)動機裝配工藝規(guī)劃與選配系統(tǒng)的框架。基于商用CAD系統(tǒng)PROE平臺開發(fā)軟件系統(tǒng)，應(yīng)用一個小型的燃氣渦輪發(fā)動機作為實例對系統(tǒng)進行了驗證。

簡介：安徽淮北地區(qū)煤炭資源豐富，但煤灰熔融溫度較高（大多數(shù)FT＞1400℃），無法直接用于液態(tài)排渣的德士古氣化工藝。本文選擇四種有代表性的淮北高灰熔融溫度煤A、B、C、D，三種外地低灰熔融溫度煤L1、L2、L3作為研究對象，對原煤中的晶體礦物組成進行了定性和定量分析，對添加助熔劑及配煤對改善淮北煤灰熔融溫度進行了探討，對淮北煤灰行為以及助熔劑的助熔機理進行了分析，考察了添加助熔劑及配煤對淮北煤水煤漿性能的影響，并對淮北煤技術(shù)經(jīng)濟進行了研究，結(jié)果表明1淮北煤中主要晶體礦物有高嶺石、石英、方解石、石膏、黃鐵礦和白云石等。煤灰的熔融溫度與耐熔礦物和助熔礦物的含量以及總礦物的含量有關(guān)，但并非成線性關(guān)系。在還原性氣氛下，煤灰隨著溫度的升高，石英、硬石膏等結(jié)晶礦物含量逐漸減少，生成新的礦物質(zhì)，莫來石的生成是導(dǎo)致煤灰熔融溫度高的主要原因。2添加助熔劑可有效降低淮北煤灰熔融溫度。從助熔劑經(jīng)濟性、助熔劑添加量、對煤灰熔融溫度的降低程度綜合考慮，復(fù)合助熔劑FH17優(yōu)于單助熔劑。添加助熔劑后的媒灰在熔融的過程中，出現(xiàn)了堇青石、鎂橄欖石、鐵尖晶石和鐵橄欖石等助熔礦物，從而降低煤灰的熔融溫度。3配煤可降低淮北礦區(qū)煤灰熔融溫度，L1和L3配煤比例與配煤后的煤灰熔融溫度近似成線性關(guān)系。配煤效果為L1煤＞L3煤＞L2煤。在配煤中添加低于煤基3％的復(fù)合助熔劑時，可以使淮北煤的配入比例≥60％。4A和C原煤能制得濃度為70％和69％的水煤槳，漿體流動性好，漿體穩(wěn)定。添加助熔劑不會對漿體粘度、穩(wěn)定性和流動性有明顯的改變。配煤后的水煤漿濃度可以達到68％和69％，表觀粘度均小于1500MPAS，漿體粘度均能滿足德士古氣化對水煤漿的要求。5助熔劑的加入，改變了粗煤氣中氣體的含量。隨著氧煤比的增加，合成氣中的有效成分CO、H2均呈現(xiàn)先增加后下降的趨勢。水煤漿濃度每增加1％，粗煤氣種有效氣組成增加1％左右。使用淮北煤樣比煤耗、比氧耗和總成本要低于單純使用的外地低灰熔融溫度煤。

簡介：點擊查看更多無錫醬排骨制作工藝優(yōu)化及保鮮技術(shù)研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：葛花為豆科植物野葛的花其主要化學(xué)成分有黃酮類、三萜皂苷類、香豆素類、甾醇類、揮發(fā)油、生物堿和人體不能合成的必需氨基酸和無機鹽。枳椇子為鼠李科植物的種子中醫(yī)認為其具有養(yǎng)陰生津補中益氣潤腸通便解酒毒的功效。二者均是古方醒酒良方本實驗以葛花、枳椇子為主料采用高效球磨技術(shù)研究出可全部吸收、全部利用的醒酒咀嚼片主要用于緩解酒后癥狀縮短醒酒時間調(diào)理因長期過量飲酒引起的慢性疾病。具體實驗結(jié)果如下1、研究葛花、枳椇子不同粉體的特性以總物質(zhì)溶出度、總黃酮溶出量、體外乙醇脫氫酶ADH活性影響三個方面為衡量指標以蘆丁為標準品紫外可見分光光度法測定葛花、枳椇子中總黃酮顯色反應(yīng)后的吸光度值從而計算總黃酮溶出量。實驗發(fā)現(xiàn)葛花Ⅱ級粉體在瞬時溶出度比未處理的植物本體高出86倍在隨后測定的6個時間點上其總物質(zhì)溶出度一直高于其他組別在20MIN后總物質(zhì)溶出度變化速率趨于平緩。枳椇子不同粒徑粉體之間的變化趨勢與葛花相似枳椇子Ⅱ級粉體的瞬時溶出度可達到未處理的植物本體的135倍在隨后測定的6個時間點上較其余組別亦一直保持較高溶出量。在總黃酮溶出量測定方面由未處理葛花本體的267MGG升高至Ⅱ級粉體的975MGG與80％乙醇提取3次得到的黃酮溶出量1221MGG比較Ⅱ級粉體黃酮溶出量提高5798。同樣與乙醇3次提取得到的黃酮溶出量相比枳椇子Ⅱ級粉體的黃酮溶出量提高64。分析比較葛花、枳椇子不同粒徑粉體對乙醇脫氫酶ADH活力影響的測定結(jié)果確定葛花和枳椇子均可在體外激活乙醇脫氫酶而采用高效球磨技術(shù)制備的Ⅱ級粉體較其他粉體呈現(xiàn)出最優(yōu)實驗結(jié)果激活率分別達到378和29。2、應(yīng)用HPLCHPLCMS2技術(shù)研究葛花中黃酮分離鑒定和測定方法將葛花樣品經(jīng)預(yù)處理后通過HPLC分離得到單一色譜峰然后運用HPLCMS2對其進行結(jié)構(gòu)解析根據(jù)正離子二級MS圖譜確定葛花中含有具有醒酒解酒功效的功能因子是鳶尾苷。3、選取葛花、枳椇子Ⅱ級粉體為主要原料制作醒酒咀嚼片在制片工藝方面考察輔料甜味劑、酸味劑、崩解劑、填充劑、濕潤劑五個方面對片劑外觀和口感的影響以片劑質(zhì)量指標為評分標準綜合模糊數(shù)學(xué)評價方法得到咀嚼片最佳工藝以總物料主料輔料為100計其中甜味劑、酸味劑、崩解劑、填充劑的添加量分別為34507578濕潤劑添加量036MLG。應(yīng)用質(zhì)構(gòu)儀2MMCYLINDERPROBEP2探頭分別進行最優(yōu)配方組合制得的成品咀嚼片與市售太妃糖的硬度測量比較二者的差異性。通過對成品咀嚼片總黃酮溶出量和ADH活性影響的實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)總黃酮溶出量達到27MGGADH激活效果呈陽性激活率達到367。

簡介：點擊查看更多整體靜壓軸承電火花加工技術(shù)與工藝研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：太空環(huán)境中含有大量的高能粒子，這些高能粒子的存在將對航天器的正常工作構(gòu)成嚴重的威脅。當(dāng)航天器中的半導(dǎo)體器件受到粒子的轟擊時，在半導(dǎo)體器件中會引起各種各樣的效應(yīng)，這些效應(yīng)嚴重威脅著半導(dǎo)體器件的可靠性。當(dāng)組合邏輯電路受到粒子的轟擊時，有可能會產(chǎn)生SET，如果組合邏輯電路中的SET傳播至?xí)r序邏輯電路，或者時序邏輯電路直接受到粒子的轟擊，時序邏輯電路中有可能會發(fā)生SEU。為了降低SEU發(fā)生的概率，一些研究設(shè)計了一種采用雙模冗余結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)單個節(jié)點翻轉(zhuǎn)后自我恢復(fù)的存儲單元，這種存儲單元采用了與普通的存儲單元的節(jié)點相互補的雙模冗余結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)對SEU有很好的抑制作用。但是，隨著工藝尺寸的減小，DICE存儲單元中的雙模冗余結(jié)構(gòu)所能起到的加固效果越來越差，本文針對65NM工藝下DICE存儲單元的電路特點及翻轉(zhuǎn)機理展開了一系列的敏感性的研究并且根據(jù)敏感性的研究提出了一些相應(yīng)的加固技術(shù)，取得的成果如下綜合分析了DICE存儲單元的電路特點，并且利用TCAD模擬軟件測定了DICE敏感節(jié)點對的敏感特性曲線及LET翻轉(zhuǎn)閾值隨敏感節(jié)點對距離變化的曲線，發(fā)現(xiàn)由于PMOS中的雙極效應(yīng)增加了PMOS的敏感性，NMOS中的反向雙極效應(yīng)增加了NMOS的穩(wěn)定性，所以當(dāng)敏感節(jié)點對之間的距離較大時，PMOS的翻轉(zhuǎn)閾值遠小于NMOS的翻轉(zhuǎn)閾值。深入研究了電壓和版圖結(jié)構(gòu)對DICE敏感性的影響，發(fā)現(xiàn)當(dāng)敏感節(jié)點對之間的距離較小時，工作電壓降低，電荷擴散作用被削弱，敏感節(jié)點對的LET翻轉(zhuǎn)閾值將大幅度減小，而雙極效應(yīng)引起的收集電荷量幾乎沒有影響，所以當(dāng)敏感節(jié)點對的距離較大時，電壓對NMOS的翻轉(zhuǎn)閾值的影響比較顯著，而對PMOS翻轉(zhuǎn)閾值的影響相對較小，而且當(dāng)敏感節(jié)點對的距離達到137ΜM時，電壓對PMOS的翻轉(zhuǎn)閾值的影響幾乎可以忽略；發(fā)現(xiàn)阱接觸的面積對雙極效應(yīng)的影響比較顯著而對電荷擴散幾乎沒有影響，所以當(dāng)敏感節(jié)點對的距離比較大時，阱接觸面積的減小增強了PMOS中的雙極效應(yīng)，削弱了NMOS中的反向雙極效應(yīng)，從而同時減小了PMOS和NMOS的翻轉(zhuǎn)閾值，而敏感節(jié)點對的距離比較小時幾乎沒有影響，上述兩條發(fā)現(xiàn)為DICE的低功耗設(shè)計和版圖加固設(shè)計提供了理論參考。深入研究了三阱工藝和SOI工藝下DICE的SEU敏感性，發(fā)現(xiàn)雖然N深阱在NMOS中產(chǎn)生了雙極效應(yīng)減小了NMOS的LET翻轉(zhuǎn)閾值，但是卻對PMOS中的雙極效應(yīng)有很好的抑制作用，明顯增大了PMOS的LET翻轉(zhuǎn)閾值，為采用新工藝對DICE存儲單元進一步加固指明了研究方向。融合了多標準單元層（MULTICELLHEIGHT）技術(shù)、版圖交錯技術(shù)和N深阱新工藝技術(shù)，提出或改進了多項DICE的版圖加固方法，模擬結(jié)果表明新版圖下的DICE的翻轉(zhuǎn)閾值得到顯著提升，為工藝生產(chǎn)高可靠性的存儲單元提供了技術(shù)指導(dǎo)。