簡介：現(xiàn)代先進制造技術的高速發(fā)展伴隨著產(chǎn)品制造精度和效率的提高，使得金屬切削技術得到了快速發(fā)展?？赊D(zhuǎn)位刀具可轉(zhuǎn)位刀片作為現(xiàn)代切削刀具中的一種先進刀具，具有高耐用度、可快換和制造成本低等特點在現(xiàn)代切削加工中被廣泛使用。目前國內(nèi)生產(chǎn)的可轉(zhuǎn)位刀片周邊刃磨床相較于國外而言，設備種類少、檔次低、工藝落后及柔性化程度低，難以滿足可轉(zhuǎn)位刀具快速發(fā)展的生產(chǎn)加工要求，尤其是高檔周邊刃磨床市場被國外產(chǎn)品所壟斷。面對這一現(xiàn)狀，課題組與漢江機床有限公司取得了國家專項支持，合作開展對高端國產(chǎn)可轉(zhuǎn)位刀片周邊刃磨床的研發(fā)工作。本文圍繞“可轉(zhuǎn)位刀片周邊刃磨床加工工藝與控制系統(tǒng)融合技術的研究”這一課題，以實現(xiàn)高精度、高效率、高自動化加工為目的進行了深入研究，主要包括以下幾方面的內(nèi)容1基于工藝與系統(tǒng)交互影響的思路，在CNC8055和CNC8070開放式數(shù)控平臺上完成了可轉(zhuǎn)位刀片周邊刃磨削加工專用數(shù)控系統(tǒng)的功能設計與二次開發(fā)，實現(xiàn)了可轉(zhuǎn)位刀片周邊刃磨削工藝與控制系統(tǒng)融合。2結合機床部件結構、運動形式及其工作原理和數(shù)控系統(tǒng)宏指令編程，合理設計了2MK7130型和2MZK7150型兩種周邊刃磨床的全自動控制流程，利用CNC8055和CNC8070數(shù)控系統(tǒng)宏指令編制機床控制主程序，開發(fā)了周邊刃磨床和附加設備的通訊和信息交互的方法，并進行兩臺機床全自動加工調(diào)試。3結合數(shù)控系統(tǒng)和測量設備開發(fā)在線測量系統(tǒng)，通過建立可轉(zhuǎn)位刀片在線測量數(shù)學模型，編制測量宏程序，獲得高精度的在線測量結果設計了一套補償方法，將高精度測量結果與設定的合格刀片尺寸進行實時對比，對尺寸誤差進行補償，此方法大幅度提高了產(chǎn)品尺寸一致性和生產(chǎn)合格率。4分析研究了金剛石砂輪的自動修整技術，設計了砂輪自動修整方法和控制流程，在數(shù)控系統(tǒng)中，實現(xiàn)了對砂輪和修整輪壽命的實時監(jiān)控。

簡介：啤酒中含有豐富的營養(yǎng)物質(zhì)，且酒精度低，口感柔和，價位低，因而深受廣大消費者的喜愛。但研究發(fā)現(xiàn)啤酒釀造過程中會產(chǎn)生較高含量的嘌呤類物質(zhì)，大量飲用啤酒后嘌呤會在人體內(nèi)積累代謝產(chǎn)生尿酸，尿酸若在體內(nèi)大量累積，極易誘發(fā)痛風病癥。因此，本研究針對這一問題以后處理技術吸附降低啤酒中嘌呤類物質(zhì)為著手點，通過利用高效液相色譜檢測方法，分析市售啤酒中的嘌呤含量以及啤酒生產(chǎn)中嘌呤物質(zhì)的來源和變化過程；通過對嘌呤吸附能力強的吸附劑進行改性探索，采用復合因素和單因數(shù)實驗獲得最合理的制備條件和添加條件，通過吸附實驗將啤酒中的嘌呤含量降低到10MGL以下。主要研究內(nèi)容和結果如下（1）本文建立了RPHPLC檢測啤酒中嘌呤物質(zhì)的條件。首先在脫氣后的啤酒樣品中以1022的比例加入三氟乙酸和甲酸，100℃水解1H，將啤酒中嘌呤核苷酸全部水解成游離態(tài)的嘌呤堿基。實驗得到的最佳色譜檢測條件為色譜柱DIAMONSILC18（46MM250MM，5ΜM）；檢測波長254NM；流動相為97％的010甲酸溶液和3的甲醇，柱溫25℃，流速07MLMIN，進樣量10ΜL。四種嘌呤檢測精密度為067169，加標回收率在9771028之間，符合分析檢測的實驗要求。對幾種市售啤酒進行檢測發(fā)現(xiàn)嘌呤物質(zhì)含量的范圍為563MGL826MGL。（2）通過測定啤酒釀造原料中的嘌呤含量發(fā)現(xiàn)，麥芽為產(chǎn)生嘌呤物質(zhì)的主要來源，麥芽中總嘌呤的含量為65MGL左右；大米、酒花中嘌呤含量很低，均在5MGL以下，相比麥芽而言不能成為影響啤酒中嘌呤含量的因素。因此，若在不影響啤酒質(zhì)量和口感的前提下，設法降低原料中麥芽的用量可作為降低啤酒中嘌呤的手段之一。在高濃釀造發(fā)酵過程中，添加酵母后游離態(tài)嘌呤的濃度由于被酵母增殖利用而降低，嘌呤核苷和核苷酸無法被酵母直接利用，因此仍在發(fā)酵液中，這一部分嘌呤將最終進入成品啤酒中。發(fā)酵后期酵母容易自溶而釋放出嘌呤物質(zhì)，使發(fā)酵液總嘌呤含量上升。因此，及時回收酵母對降低啤酒中嘌呤含量有一定幫助。（3）研究發(fā)現(xiàn)殼聚糖和活性炭對嘌呤物質(zhì)的吸附能力較強，為進一步提升嘌呤去除率，首先選擇對殼聚糖交聯(lián)活性炭進行改性研究，得到制備殼聚糖活性炭復合吸附劑的最佳條件為殼聚糖與活性炭的復配比12；交聯(lián)劑戊二醛（25）的用量2ML；交聯(lián)時間25H；交聯(lián)溫度為60℃。通過單因素試驗確定了復合吸附劑的最佳添加條件為吸附劑添加量16GL；吸附時間1H；吸附溫度25℃。在此條件下的驗證實驗表明復合吸附劑對啤酒中嘌呤的吸附率為682，吸附率提升不顯著，沒有達到理想效果。（4）考察改性活性炭對嘌呤物質(zhì)吸附作用的影響，結果發(fā)現(xiàn)采用硝酸氧化劑改性活性炭可以使嘌呤吸附率有顯著提升。通過復合因素實驗得到改性活性炭的最佳制取條件為硝酸濃度5；改性溫度90℃；改性時間4H，在此條件下得到的改性活性炭對嘌呤混合標準溶液的嘌呤去除率為851。單因素實驗確定了改性活性炭的最佳吸附條件為添加量為15GL；吸附時間1H；吸附溫度25℃，在此條件下改性活性炭對啤酒中嘌呤的吸附率達到871。最后將改性吸附劑添加至成熟發(fā)酵液中，稀釋后清酒中嘌呤含量僅為69MGL，且感官、理化指標符合GB49272008的要求，達到了預期目標。

簡介：本文主要研究了55NMCMOS金屬硬質(zhì)掩模銅互連技術中濕法清洗工藝。在55NM工藝平臺中，評估了三種清洗藥液，第一種是胺基為基礎的有機溶劑，第二種是半有機半水基的清洗藥液，第三種是稀釋的氫氟酸。通過刻蝕速率、缺陷、電學性能、許容時間等方面表現(xiàn)的比較，第一種胺基有機溶劑表現(xiàn)最優(yōu)。并通過藥液交換是設定的優(yōu)化，使得60NM以下顆粒表現(xiàn)達到最優(yōu)，工藝開發(fā)完成。在實際生產(chǎn)過程中，發(fā)現(xiàn)了銅腐蝕、球形缺陷、有機殘留缺陷等問題。通過研究，找到了缺陷發(fā)生的原因。銅腐蝕是由于光引起的電流，在清洗過程中發(fā)生電化學腐蝕，通過保持黑暗的腔體環(huán)境能杜絕銅腐蝕問題。球形缺陷主要是設備潔凈度以及藥液潔凈度不佳引起的，而從硅片中心聚集的特征入手，調(diào)整工藝程式噴藥液的起始位置，能有效降低球形缺陷。通過增加水洗時間可以有效減少有機殘留缺陷，同時不會引起額外的銅損失。通過這些改善，使得清洗工藝更加成熟、完善，缺陷降低，良率提升。同時也對金屬硬質(zhì)掩模銅互連中的清洗工藝的發(fā)展趨勢做了一些分析。主要從設備、清洗藥液等幾方面入手，指出了技術節(jié)點往前時對清洗工藝的新要求。

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簡介：自旋角動量轉(zhuǎn)移磁隨機存儲器（SPINTQUETRANSFERMAGICROMACCESSMEMY，STTMRAM）是一種新型非易失性存儲器。STTMRAM有著集成度高、能耗低、讀寫快等優(yōu)點。磁性隧道結（MAGICTUNNELJUNCTION，MTJ）是STTMRAM存儲單元的關鍵部分?；诂F(xiàn)有的技術，有許多制備特征尺寸為納米級的MTJ單元的工藝方法。但是它們大多存在步驟繁瑣，成本昂貴的問題。本文提出了一種新的MTJ納米單元制備方法。該方法不涉及電子束光刻和濕法刻蝕工藝，主要基于聚焦離子束技術（FOCUSEDIONBEAM，F(xiàn)IB）和傳統(tǒng)工藝手段制備特征納米孔。這樣的制備工藝省去了一步光刻步驟，特征尺寸易于控制，大大節(jié)省了工藝制備的周期和實驗成本。首先，本研究通過ANSYS軟件對該結構單元建模，進行有效面積的模擬計算，證實了該結構納米接觸的可行性。然后，通過微磁模擬軟件對單元模擬外加電場進行阻值計算，得到該結構電致翻轉(zhuǎn)的TMR理論值。最后，基于FIB技術，制備出MTJ納米單元陣列，并對樣品進行物理性能和電學性能測試。測得單元形狀結構良好，圖形清晰，MTJ納米單元電致翻轉(zhuǎn)的TMR值為2756％。測試結果證實了該基于FIB的結構在實驗上是可行的，可以很好地實現(xiàn)MTJ納米單元的納米點接觸。另外，在MTJ納米陣列的制備過程中，還設計了一種新的隔離型CROSSBAR結構，這種單元陣列結構杜絕了單元之間串、并聯(lián)的可能性，增加了實驗測試的精度。該論文基于FIB技術制備工藝，完成了具有STT效應的MRAM存儲單元的制備。并且，為未來MTJ納米單元的工藝制備和性能研究提供了一定的實驗依據(jù)。

簡介：嵌入撓性線路EMBEDDEDFLEXCIRCUITEFLEX印制電路板是指使用撓性線路小單元嵌入中間層剛性板中并通過積層法層壓而成其撓性線路與同一層的剛性線路沒有互連而是通過盲孔和外層互連。具有傳統(tǒng)剛撓結合板和高密度互連印制電路板幾乎所有的優(yōu)點是印制電路板發(fā)展的一個嶄新的方向。本文介紹和展示了EFLEX印制電路板的特殊結構及工藝流程。針對EFLEX印制電路板的規(guī)格設計和工藝技術進行研究主要包括EFLEX印制電路板的撓曲能力研究層間結合力研究和UV激光控深銑能力研究并成功制作10層EFLEX印制電路板成品。關鍵工藝的研究結果有1EFLEX印制電路板撓曲能力實驗研究建立EFLEX印制電路板的結構模型和撓曲受力分析模型分析其撓性線路的埋入尺寸DE與剛撓互聯(lián)盲孔距剛撓結合邊緣尺寸DH對EFLEX印制電路板的撓曲性和電氣互連具有重要影響分析出DE和DH對于撓曲次數(shù)的擬合公式擬合多項式為Y342227DE163DH擬合多項式表明Y與DE、DH呈一定程度的線性增長關系DE對EFLEX撓曲性和電氣互連影響顯著通過擬合曲線找出參數(shù)DE20CMDH18CM是滿足EFLEX印制電路板撓曲性測試的最小臨界參數(shù)并通過驗證實驗分析出此參數(shù)對EFLEX彎折次數(shù)的過程控制是有能力的其設計標準可以接受。2EFLEX印制電路板層間結合力實驗研究針對剛撓層間結合力不足對撓性板埋入尺寸較小的EFLEX印制電路帶來分層等缺陷使用等離子處理撓性材料技術以提高層間結合力。通過設計正交試驗L934以粗糙度和接觸角為指標優(yōu)化等離子參數(shù)處理PI覆蓋膜找出最優(yōu)參數(shù)組為氣體比CF4O201功率11KW時間10MIN流量1500MLMIN通過粗糙度和接觸角數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)在一定范圍內(nèi)粗糙度RA和表面接觸角具有一定相關性即等離子處理后撓性板PI覆蓋膜粗糙度RA大幅增加和接觸角大幅下降拉力測試數(shù)據(jù)證明了等離子最優(yōu)參數(shù)處理后的剛撓結合板層間結合力有較大的提升比未做等離子處理的提高了088NMM而且熱應力測試也未出分層現(xiàn)象等離子對撓性板PI覆蓋膜的優(yōu)化處理有效地改善其表面結構有效的解決了剛撓結合板層間分離的問題提高了EFLEX印制電路板的可靠性。3UV激光控深銑能力分析研究使用正交優(yōu)化實驗研究并優(yōu)化UV激光參數(shù)對EFLEX印制電路板精細控深銑的能力分析出對UV激光切割能力影響的因素優(yōu)先級依次為激光功率激光頻率Z軸高度光斑直徑針對以切割深度最大為追求目標其最優(yōu)因素水平組為激光功率9W光斑直徑01MM激光頻率80KHZZ軸高度01MM研究定量控深深度要求為984ΜM的技術要求通過概率圖分析得出其最優(yōu)參數(shù)水平組為激光功率9W光斑直徑30ΜM激光頻率60KHZZ軸高度01MM。基于以上理論和實際操作制定10層EFLEX印制電路板工藝流程和實驗方案成功制作滿足技術標準的10層343EFLEX印制電路板其成品率高達8125％。

簡介：在當今電子工業(yè)高速發(fā)展的時代，隨著厚膜混合集成電路向著高性能、高可靠、小型化、高均一性及低成本方向的發(fā)展，對厚膜混合電路的組裝技術和工藝提出了越來越高的要求。在厚膜混合集成電路中，功率組件是核心器件，決定著厚膜功率組件的性能和熱響應情況。在厚膜功率組件的組裝中，現(xiàn)在主要存在的問題是由于焊接的器件空洞較多，所以工作時產(chǎn)生的熱量不能有效地發(fā)散，最終使器件的工作結溫高，降低了其使用壽命，甚至個別零件由于溫度較高而導致電壓擊穿。影響空洞產(chǎn)生的因素有很多，本文經(jīng)過查閱大量的文獻，結合國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，分別從厚膜管殼、基板的尺寸；焊料成分、狀態(tài)（焊片、焊膏）的選用；工藝曲線（真空度、還原氣氛、溫度設置）各個方面來減小孔洞率，其后通過外觀、X射線、金相分析、剪切力測試分析厚膜功率器件的孔洞率、可靠性，找出形成空洞的真正原因是焊料在燒結過程中殘留的氣體和氧化物無法排出。結果表明回流焊中通過對工藝溫度曲線、焊接層厚度、壓力的分析，找到了各自合適的參數(shù)改善焊接空洞問題。得出溫度曲線是影響焊接空洞大小的最顯著因素，真空焊通過對工藝曲線、壓力、甲酸的控制、載體粗糙度、氣氛保護的分析，找到了各自合適的參數(shù)改善焊接空洞問題，得出工藝曲線、氣氛保護是影響焊接空洞大小的最顯著因素。

簡介：再制造技術是隨著社會經(jīng)濟的不斷發(fā)展而逐漸發(fā)展起來的新技術。中國的再制造修復技術以表面工程技術為主要支撐，隨著納米技術的不斷進步，表面工程技術中的電刷鍍技術在普通電刷鍍的基礎上創(chuàng)新地引入了納米顆粒，比如在普通電刷鍍鍍液中加入納米AL2O3、SIC、SIO2、金剛石等不溶性固體顆粒，發(fā)展成為納米復合電刷鍍技術。由于鍍液中加入的納米顆粒的種類和性能不同，使得沉積的納米復合鍍層具有硬度高、耐磨性好、抗腐蝕性強、抗接觸疲勞性強、抗高溫性、減摩、光亮等不同優(yōu)點，使零件的表面質(zhì)量大大提高，起到了較好的修飾防護或修復作用，因此在再制造領域應用非常廣泛。作為鋪墊，本文簡單介紹了電鍍和化學鍍的原理、形成機理、工藝流程。為獲得性能優(yōu)良的復合鍍層，本文從納米復合鍍層的形成機理，納米復合電刷鍍的設備，納米復合鍍液的要求、特點、配方，納米電刷鍍的工藝流程、工藝參數(shù)的選擇，納米顆粒的制備等工藝方面進行分析與研究，通過NIP復合鍍實驗對鍍后NAL2O3NIP復合鍍層與普通NIP鍍層熱處理前后的表面形貌以及力學性能進行分析比較并通過在鍍液中加入不同含量的AL2O3來比較復合鍍層的表面形貌，得到納米固體顆粒的含量及其在鍍液中的狀態(tài)對鍍層有較大的影響的結論同時通過多次實驗總結分析了影響鍍層質(zhì)量的相關因素，以求通過控制這些因素來得到較好的鍍層質(zhì)量。納米電刷鍍由于其優(yōu)異的性能，已經(jīng)廣泛應用在工業(yè)制造、軍事、醫(yī)療、農(nóng)業(yè)機械等各個領域。隨著對納米電刷鍍設備的改進、納米鍍液的制備、電刷鍍工藝參數(shù)、納米顆粒的分散等工藝研究的不斷深入，將會使納米復合電刷鍍技術有更大的應用空間。

簡介：中國是僅次于歐美地區(qū)的世界第二大牛仔休閑服飾消費市場，市場潛在空間十分龐大。牛仔紗線一般為純棉紗線，其染色多以靛藍染料與硫化染料染色為主，色種比較單一，廢水排放量大。本文對牛仔紗線陽離子改性的染色工藝進行研究，研究了陽離子改性劑的改性機理，以及濃度、溫度、氫氧化鈉濃度、改性時間等工藝參數(shù)對染色效果的影響；將陽離子改性的優(yōu)化工藝應用于涂料、活性染料復合染色，以顏色特征值、色牢度等染色效果為評價指標，對影響染色效果的工藝參數(shù)，如染料濃度、碳酸鈉濃度、粘合劑用量等進行工藝優(yōu)化；探討活性染料濕短蒸工藝對染色的影響。研究結果表明（1）牛仔紗線經(jīng)過陽離子改性劑處理后，能明顯提高活性染料染色后紗線的環(huán)染效果及改善洗舊風格；（2）牛仔紗線改性處理的優(yōu)化工藝為；改性劑濃度為20GL、改性溫度為80℃、氫氧化鈉濃度為5GL，改性時間為10S。（3）涂料活性染料復合集成染色工藝選擇染液濃度為60GL，碳酸鈉濃度為10GL，陽離子粘合劑用量40GL。（4）復合染液濃度超過60GL時，改性紗線上吸附并固著的染料基本達到飽和，再增加染液濃度對顏色深度提升不大，因此，改性紗線的最高染色濃度為60GL；染液PH為105115時，染液上染速率最快、固色率最高，活性染料水解率低，因此染液PH控制在11為最佳工藝；染色溫度越高上染速率越快，綜合考慮染料水解和染色前后色差，以及車間冬天與夏天溫差問題，選擇染色浸軋溫度為40℃；牛仔紗線經(jīng)過最優(yōu)改性工藝處理后，上染速率明顯高于常規(guī)染料，染色時間15秒左右基本就能滿足染色要求。綜合考慮涂料在紗線表面的成膜和活性染料的上染率，選用濕態(tài)汽蒸溫度為120℃。

簡介：西安建筑科技大學碩士學位論文氯堿鹽泥綜合回收工藝技術研究專業(yè)化學工藝碩士生李志仁指導教師朱軍教授摘要隨著氯堿工業(yè)的發(fā)展，氯堿工業(yè)鹽水精制過程產(chǎn)生鹽泥廢渣造成的環(huán)境污染和資源浪費問題越來越突出。根據(jù)甘肅稀土公司氯堿廠鹽水精制過程產(chǎn)生鹽泥的工藝現(xiàn)狀，結合公司對廢渣綜合回收利用要求，提高氯堿工業(yè)的循環(huán)經(jīng)濟水平，在實驗室對鹽泥進行酸性浸出、浸出液凈化、凈化液分步沉淀分離鈣鎂及其表面改性和酸浸渣脫硅回收硫酸鋇的試驗研究，初步確定了利用鹽泥制備氫氧化鎂、氧化鎂、碳酸鈣、硫酸鋇等產(chǎn)品的工藝方案及參數(shù)。試驗研究首先對鹽泥進行了浸出和凈化試驗，通過試驗分析了影響浸出和凈化的主要因素，得出了浸出工藝參數(shù)為液固比51，酸度200MOLL，浸出溫度60℃，鈣鎂浸出率達9823。浸出液凈化工藝參數(shù)為溫度為90℃，PH67，反應時間3H，F(xiàn)E3、AL3等雜質(zhì)離子的去除率可達到97以上。對凈化液進行了鈣鎂沉淀分離及其表面改性試驗。通過考察影響沉淀分離及改性的主要因素得出鎂沉淀及改性過程工藝參數(shù)為15表面活性劑A用量10ML，超聲分散時間為2MIN，沉淀劑用量按MG2OH為11，反應溫度30℃，陳化2H，鎂回收率6646，產(chǎn)品氫氧化鎂純度9649，包覆率326，最小粒徑02UM。鈣沉淀及改性過程工藝參數(shù)為在超聲分散的條件下，3聚丙烯酸鈉用量為5ML，窯氣通入速率100LH，反應溫度為50℃，反應PH值為11，陳化1H，鈣回收率9031，產(chǎn)品純度9046，包覆率160，最小粒徑015UM。酸浸出渣脫硅回收硫酸鋇試驗中，以二氧化硅含量為主要考察指標，分別考察了反應時間、溫度、堿度、液固比對脫硅的影響，取得的脫硅工藝參數(shù)為堿液濃度50、液固比25，溶出溫度為120℃，攪拌浸出5H，產(chǎn)品的純度為8532，硫酸鋇直收率87。研究提出了氯堿工業(yè)的鹽泥綜合利用的試驗方案，可實現(xiàn)從鹽泥中回收硫酸鋇、制備改性碳酸鈣、改性氫氧化鎂及氧化鎂。凈化后的鈣鎂富液進行分步法分

簡介：點擊查看更多姬塬油田長9復雜油藏儲層改造工藝技術研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：行波管是一種放大微波信號的電真空器件，廣泛應用于雷達、電子對抗、通信等領域。隨著行波管的快速發(fā)展，對工藝技術的一致性和穩(wěn)定性提出了更高的要求。行波管的生產(chǎn)流程涉及的工序眾多，目前除了部分工序可以實現(xiàn)自動化控制，多數(shù)工序還處于手工操作的狀態(tài)，生產(chǎn)效率低下，工藝的一致性無法得到保證，導致了行波管的可靠性較低。夾持桿是螺旋線行波管的關鍵件，本文主要對螺旋線行波管夾持桿蒸碳的自動控制系統(tǒng)進行研究。在原工藝方法的基礎上，通過研制自動控制系統(tǒng)，提高了一致性和生產(chǎn)效率。本研究主要內(nèi)容包括⑴分析衰減薄膜的制備要求、工藝方法，提出實現(xiàn)蒸碳工藝過程自動控制的需求。⑵在設計自動控制系統(tǒng)時，下位機采用PLC控制器，上位機采用工控專用觸摸式一體機，并根據(jù)控制要求，采用西門子STEP7MICROWIN編程軟件和語句表（STL）編程語言實現(xiàn)自動控制系統(tǒng)的功能。在實現(xiàn)過程中，構建了系統(tǒng)的控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，實現(xiàn)了工藝參數(shù)組的設置以及自動控制軟件的編寫等。⑶研制了夾持桿衰減薄膜制備的平臺。該平臺簡單、實用，保證了各控制功能，可靠性高，已成功應用于實際工作中，提高了一致性和生產(chǎn)效率。

簡介：當今無線通信系統(tǒng)、光纖通信系統(tǒng)和背板傳輸系統(tǒng)等各類通信系統(tǒng)為人們提供了高質(zhì)量、高便捷的信息服務，極大促進了人們的生活和社會的發(fā)展。隨著通信技術的高速發(fā)展，由于信道的衰減、串擾以及反射等非理想因素，高速信號在傳輸過程中會發(fā)生失真的現(xiàn)象也越來越嚴重。均衡正是通過對信道傳輸特性進行補償來處理碼間串擾ISI的一種技術，其目的是提高信號完整性，降低系統(tǒng)誤碼率。然而，隨著信號速率的增加，高速均衡器尤其是自適應高速均衡器的設計與實現(xiàn)面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，需要在電路工作速度、補償能力、自適應性以及面積和功耗等方面進行優(yōu)化，并實現(xiàn)它們之間的良好折中，以滿足通信系統(tǒng)日益增長的技術要求。本文對高速串行通信中的自適應均衡器的結構進行了研究，并在均衡結構優(yōu)化的基礎上，采用CMOS工藝設計了多個應用于接收端的高速均衡器并進行了流片和驗證。本文首先從頻域和時域的角度分析了高速背板信道的的損耗、串擾、反射及噪聲等非理想特性對信號傳輸?shù)挠绊?。?jù)此結合已有的主流均衡技術及其適應條件，基于ADS仿真平臺對典型的背板信道進行了仿真，通過分析比較，綜合考慮面積、功耗和可行性等因素，選取優(yōu)化的線性均衡器LE和判決反饋均衡器DFE組合方案，為后續(xù)均衡器結構與電路的研究設計打下了基礎。根據(jù)仿真得到的組合均衡器結構，本文設計了用于接收端的高速前饋均衡器FFEDFE組合均衡器。通過分析比較波特間隔均衡器BSE和分數(shù)間隔均衡器FSE的特性，選取FSE結構來減小頻譜混疊和采樣偏差的影響。針對傳統(tǒng)的DFE結構很難滿足高速DFE設計要求的問題，本文采用半速率結構以提高信號的傳輸速率和時鐘信號的準確性。此外，在FFE電路的設計過程中，采用有源并聯(lián)電感峰化技術來增加延遲線帶寬。在此基礎上，本文基于TSMC018ΜMCMOS工藝設計實現(xiàn)了FFEDFE的高速均衡器，并進行了流片和測試。測試結果顯示其在625GBS的傳輸速率下均衡輸出眼圖的水平張開度達到084UI，可以很好地補償信道在625GHZ處達22DB的衰減。在成功設計了高速FFEDFE組合均衡器的基礎上，本文進一步研究并設計了一個10GBS連續(xù)時間線性均衡器CTLEDFE組合均衡器，解決了由于FFE的帶寬受工藝截止頻率的限制以及延遲電路對工藝偏差敏感所導致的組合均衡器工作速度受限的問題。通過分析比較無源RLC濾波器和有源差分濾波器兩種結構的特點，設計了基于有源差分濾波器的CTLE，并在電路中引入了調(diào)諧功能，使CTLE能夠有效地對信道進行補償。本文基于TSMC018ΜMCMOS工藝設計實現(xiàn)的CTLEDFE組合均衡器已成功流片并進行了測試，測試結果顯示在10GBS的傳輸速率下均衡輸出眼圖的水平張開度達到063UI，對在10GHZ處衰減達31DB的信道有很好的均衡作用。在對組合均衡器的結構和電路以及其自適應實現(xiàn)方式充分研究的基礎上，本文采用IBM013ΜMBICMOS工藝設計實現(xiàn)了20GBS的CTLEDFE的自適應均衡器。其中，CTLE采用基于斜率比較的自適應結構，并對電路進行了優(yōu)化，減小了電路的面積和功耗。DFE中抽頭系數(shù)的更新則采用模擬LMS算法電路，實現(xiàn)了速度和性能的良好折中。同時，為了滿足20GBS及以上信號速率的時序要求，DFE的主體結構采用半速率預處理結構以降低反饋路徑的延遲時間。本文的最后給出了所設計的自適應均衡器的芯片照片和測試結果，整個芯片包括焊盤在內(nèi)的芯片面積為07808MM2。測試結果表明當速率為20GBS的信號經(jīng)過20GHZ處的衰減達20DB，反射達13DB的背板信道時，信道末端的眼圖早已完全閉合，經(jīng)過自適應均衡器后，輸出眼圖的水平張開度達到了085UI。該均衡器最高可工作在24GBS的速率上，對應的輸出眼圖張開度為081UI。在33V的電源電壓下，功耗為624MW。目前國內(nèi)在高速均衡器設計與實現(xiàn)方面與國際上仍有一定差距，本文的工作不僅能夠推動相關領域的研究進一步向前發(fā)展，具有重要的學術價值，而且對我國高速集成電路的設計也具有重要的應用價值。

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簡介：CO2O2原地浸出采鈾技術是通過混氧裝置把氧氣溶于溶浸液中，溶解氧把礦石中的四價鈾氧化成六價鈾；在地下水中碳酸氫根的作用下，六價鈾同碳酸氫根反應生成碳酸鈾酰絡合離子，鈾礦物從固相轉(zhuǎn)入液相的浸出液中，從而浸出礦石中的鈾金屬。CO2O2原地浸出采鈾技術作為國內(nèi)一種新型的地浸采鈾方法，具有試劑的消耗少、浸出液的鈾濃度比較穩(wěn)定、開采后地下水的治理簡單等優(yōu)點。隨著兩個新的CO2O2原地地浸采鈾礦山建成生產(chǎn)，我國是成為繼美國之后全世界第二個成功掌握CO2O2原地地浸采鈾技術、而且使其運用到工業(yè)化領域的國家。論文從三個方面對CO2O2地浸采鈾工藝進行安全分析，由于目前國內(nèi)很少對CO2O2供氣系統(tǒng)和水冶車間工藝流程進行安全分析，同時也很少有人涉及中性浸出水冶車間的通風安全分析。因此對CO2O2地浸采鈾技術工藝流程進行分析并識別設備和操作過程中存在的潛在風險具有相當重要的意義。論文分別運用HAZOP分析方法對CO2O2供氣系統(tǒng)進行安全分析；運用故障假設分析方法對水冶車間水冶工藝流程進行安全分析，并畫出故障排除圖；對水冶車間的通風安全進行計算分析。在對以上三個方面進行分析之后，論文提出了一些措施建議，從而降低系統(tǒng)發(fā)生事故的可能性，保證地浸采鈾系統(tǒng)的安全正常運行。實現(xiàn)對其工藝流程的優(yōu)化，在保證工藝流程生產(chǎn)安全的同時提高鈾礦的浸出率，逐步拓展我國可供開發(fā)的鈾資源量。故采用不同的安全評價方法對其工藝流程進行安全分析具有相當重要的意義。