175Hf半衰期的測(cè)量.pdf

1、174Hf具有較大的中子吸收截面，可在反應(yīng)堆中作為熱中子監(jiān)測(cè)核素使用，這一功能的實(shí)現(xiàn)需要準(zhǔn)確的175Hf半衰期數(shù)據(jù)。截至目前，公開發(fā)表的半衰期數(shù)據(jù)僅有四個(gè)，數(shù)據(jù)間分歧較大不利于核參數(shù)的準(zhǔn)確使用，需要進(jìn)一步的測(cè)量解決這一數(shù)據(jù)分歧。
　　本文首先采用熱中子輻照的Hf放射源對(duì)177Lu在不同死時(shí)間下的計(jì)數(shù)率進(jìn)行測(cè)量，得出一個(gè)計(jì)數(shù)率丟失因子f隨死時(shí)間變化的一般關(guān)系式f(t)=0.042t+0.996（t表示死時(shí)間）。對(duì)181Hf在不同死時(shí)

2、間下進(jìn)行半衰期跟蹤測(cè)量發(fā)現(xiàn)，逐漸增加數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行線性擬合得到的半衰期值在出現(xiàn)一極大值后會(huì)逐漸減小。將放射性 Hf視為含有高能γ射線的長(zhǎng)壽命干擾核素并與177Lu一起進(jìn)行半衰期跟蹤測(cè)量。擬合得到的181Hf半衰期測(cè)量結(jié)果有逐漸減小趨勢(shì)。而177Lu半衰期結(jié)果為6.71d，高于推薦值和大多數(shù)測(cè)量結(jié)果，并且逐點(diǎn)增加處理的半衰期值有穩(wěn)定增大趨勢(shì)。
　　分別使用陰離子樹脂與HDEHP樹脂對(duì)于含有雜質(zhì)的175Hf源的放化分離，結(jié)果顯示HDEHP

3、樹脂能夠進(jìn)行175Hf放射源的純化。并對(duì)制得的含有65Zn、56Co以及少量52Mn、48Sc、156Tb雜質(zhì)的175Hf液體源在不同的酸性條件下使用HDEHP離子交換樹脂進(jìn)行了分離純化。對(duì)65Zn與56Co的去污因子分別達(dá)到了5200與2360，分離得到的175Hf產(chǎn)品中僅含小于天然本底量級(jí)的65Zn，γ能譜中幾乎無可見的其他核素能峰，通過實(shí)驗(yàn)制得了放射性純的175Hf。
　　最終使用井型HPGe在較小死時(shí)間下（<1%），對(duì)全譜