有機(jī)半導(dǎo)體電荷輸運的數(shù)值模擬計算.pdf

1、在研究有機(jī)半導(dǎo)體的進(jìn)程中提高器件的光電性能一直是研究所追求的目標(biāo)，而影響器件性能的關(guān)鍵因素便是有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的電荷輸運機(jī)理。所以研究有機(jī)半導(dǎo)體材料中電荷輸運性質(zhì)就顯得尤為重要。
　　首先，本文基于偶極子無序模型，研究了有機(jī)半導(dǎo)體格點能量之間存在空間關(guān)聯(lián)的物理機(jī)理，通過數(shù)值計算得到了簡立方晶格和體心立方晶格模型下格點能量的約化關(guān)聯(lián)函數(shù)，驗證了有機(jī)半導(dǎo)體器件的空間關(guān)聯(lián)存在性。為了獲得有機(jī)半導(dǎo)體中電荷的輸運特性質(zhì)，再基于關(guān)聯(lián)無序模型(

2、CDM)，從求解晶格間的電荷躍遷主方程的數(shù)值解出發(fā)，模擬計算了有機(jī)半導(dǎo)體載流子遷移率對溫度、電場及載流子濃度的依賴關(guān)系。
　　其次，本文從Vissenberg-Matters模型出發(fā)，研究了不同有機(jī)層厚度下有機(jī)半導(dǎo)體場效應(yīng)管中載流子的輸運特性。在滿足一定的溫度和柵極電壓條件下，得出了三維情況下有機(jī)半導(dǎo)體場效應(yīng)管源漏電流隨有機(jī)層厚度和柵極電壓的變化關(guān)系。針對基于聚噻吩乙炔(PTV)的場效應(yīng)管進(jìn)行數(shù)值模擬，模擬的結(jié)果表明，隨有機(jī)層厚度