N型GaN歐姆接觸研究.pdf

1、近年來,GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導體材料與器件領域的研究熱點。目前大部分企業(yè)的GaN基LED通常是在藍寶石和SiC襯底上,通過有機物化學氣相沉積生長。對于這兩種襯底而言,藍寶石襯底更具有價格優(yōu)勢,同時具有成熟的生產(chǎn)工藝的優(yōu)點。根據(jù)現(xiàn)有的工藝技術水平,已經(jīng)成功的解決了芯片電流密度大、電壓過高和散熱難等問題,為制作大功率LED提供了技術基礎。
　　隨著半導體技術的不斷發(fā)展,

2、人們對GaN基LED的歐姆接觸性能要求越來越高,歐姆接觸直接影響到器件的穩(wěn)定性、壽命、效率等性能。研究GaN表面歐姆接觸的實現(xiàn)對于降低金-半接觸的電壓損耗、提高器件工作穩(wěn)定性、延長器件壽命都有很重要的應用價值。
　　本文嘗試在N型GaN上制備歐姆接觸電極,利用傳輸線模型(TLM)的方法測試歐姆接觸的比電阻率,探討了比接觸電阻率(specific contact resistivity)的測試方法和歐姆接觸電極的制作工藝,獲得的主要

3、研究成果如下:1、在摻雜濃度為3×1018cm-3的N型GaN襯底上,選擇Ti/Al/Ti/Au的多層金屬結(jié)構(gòu)作為歐姆接觸電極;2、對線性傳輸線與圓形傳輸線這兩種測試模型進行討論,得知采用圓形傳輸線模型方法測試,能更加適合表征歐姆接觸,其比接觸電阻率的值為3.23×10-6Ω·cm2左右;3、通過改變合金的溫度(600℃、700℃、800℃、900℃),研究溫度對歐姆接觸的影響。測量發(fā)現(xiàn),800℃下比接觸電阻率值最小;隨著溫度的升高,比