數(shù)字電路中的△I噪聲研究.pdf

1、隨著數(shù)字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數(shù)字電路中的△I噪聲已逐步成為數(shù)字系統(tǒng)的主要噪聲源之一，有關(guān)△I噪聲的特性和抑制△1噪聲的電路設(shè)計方法即成為一個亟待系統(tǒng)、深入研究的領(lǐng)域。 論文以目前數(shù)字電路中最具代表性的TTL和CMOS為研究對象，從分析數(shù)字設(shè)計的核心—反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作過程入手，采用定性分析與定量分析相結(jié)合、理論分析與測試或仿真相結(jié)合的研究方法。研究了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過

2、程、基本特點和主要危害。研究了在電路設(shè)計過程中抑制△I噪聲的兩項重要技術(shù)，一是對PCB板層布局優(yōu)化抑制△I噪聲進(jìn)行了分析與測試，二是對去耦電容器抑制△I噪聲的應(yīng)用技術(shù)進(jìn)行了分析與仿真。 結(jié)果表明：△I噪聲是由數(shù)字電路的電路結(jié)構(gòu)和工作過程決定的(是固有的)，數(shù)字電路中不同單元產(chǎn)生的△I噪聲會發(fā)生疊加，△I噪聲是主要與數(shù)字電路的速度有關(guān)的寬帶噪聲源，△I噪聲同時產(chǎn)生傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾?！鱅噪聲主要造成數(shù)字系統(tǒng)的電源電壓波動、電路內(nèi)部