2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文4HSiC緩變摻雜基區(qū)雙極晶體管研究姓名：李佳玄申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張玉明20100101AbstractAbstractInthisthesis，thecharacteristicsof4HSiCBipolarJunctiomTransistor(BJT)withdifferentstructurealestudiedbythedevicesimulationAphysica

2、lmodelthatcallwelldescribetheexperimentresultswasdevelopedWithGaussiandopedbaseregionACandDCsimulationresultsaleimprovedandcurrentgainisincreasedfrom1665tO4449comparingwithbaseconstant—doped，andalsosomeparameterssuchastu

3、monvoltage，outputresistanceandEarlyvoltagehaveacertaindegreeimprovedThe4HSiCBJTwithepitaxialthree—layerbaseisanalyzedanditisfoundthatmultibaseepitaxialstructurecaneffectivelyimprovethecurrentandfrequencycharacteristicsTh

4、eprocessforthedeviceisfleeofionimplantationandhightemperatureannealingprocess，SOthatitwillgreatlyreducetheSiCcrystallatticedamageofthesurfaceandimprovethequalityofpassivationlayerbetweenbaseandemittertherebyenhancethecur

5、rentgainThemainworkofthisthesisistOsimulatecharacteristicsofgradebase4H—SiCBJT’S，andithastheimportantsignificanceforthedevelopmentofSiCpowerdevicesKeyword：4HSiCBipolarJunctionTransistorGaussian。dopedGradedopedACsmallsign

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