Logic 90nm技術(shù)淺溝道隔離制程的研究和改進(jìn).pdf

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文Logic90nm技術(shù)淺溝道隔離制程的研究和改進(jìn)姓名：何德飚申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：張衛(wèi)陳昱升20070331復(fù)旦大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要隨著IC制造技術(shù)的快速發(fā)展，可量產(chǎn)的CMOS技術(shù)，其特征線寬也由013urn進(jìn)入了90nm甚至65nm及以下。本文針對90nm邏輯器件淺溝道隔離制程存在的問題，如有源區(qū)特征尺寸的控制、硅溝槽深度的均勻性的控制和硅溝槽的填充等開展了深入的研究通過引進(jìn)波長為193nm

2、的曝光機(jī)和功能強(qiáng)大的蝕刻機(jī)臺Lain2300，成功地解決了有源區(qū)特征尺寸的控制和硅溝槽均勻性控制的問題。有源區(qū)特征尺寸可以控制在3sigma6nm，硅溝槽均勻性可以控制在range=100埃左右。與此同時，我們用實(shí)驗(yàn)證明了硅溝槽深度對隔離性能的影響。通過引進(jìn)新的I12HDPCVD技術(shù)，我們也完美地解決了硅溝槽填充的問題。硅溝槽的填充能力可以達(dá)到01m，實(shí)際上我們只要求達(dá)到013um。通過大量實(shí)驗(yàn)研究了離子注入制程對淺溝道隔離性能的影響。

3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：阱和源漏極離子注入制程對淺溝道隔離性能有很大的影響。對隔離起作用的pn結(jié)的反向擊穿性能決定著隔離所能達(dá)到的最好效果，所以pn結(jié)的設(shè)計(jì)是淺溝道隔離性能能夠做好的前提。優(yōu)化了淺溝道隔離制程。包括阱曝光制程的優(yōu)化、S11CMP制程的優(yōu)化、設(shè)計(jì)新的Dummy規(guī)則和提高STICMP制程均勻性與平坦度。我們發(fā)現(xiàn)阱的曝光制程對淺溝道隔離的影響越來越大，通過把阱的曝光制程從原來的Iline制程換為DUV制程，使阱的曝光制程得到了很好的控制