65nm閃存基準電壓調整算法的應用和改進.pdf

1、本論文結合Intel上?？萍加邢薰?5nmNOR型閃存的開發(fā)項目,在深入了解閃存基準電壓調整算法的基礎上,將此理論算法應用于65nmNOR型閃存,并根據(jù)測試中遇到的問題作了一定的改進。
　　 芯片中的基準電壓是指在電路中用作電壓基準的高穩(wěn)定度的電壓源,它也是閃存芯片中不可缺少的電路模塊,是閃存實現(xiàn)各種操作的基礎,例如讀寫操作都需要在存儲單元的柵極或漏極加上固定大小的電壓。隨著工藝水平的不斷提高,芯片內部的特性有所不同,并且對基

2、準電壓的精度要求也越來越高,所以原有的基準電壓調整算法就不能適用于65nm的閃存。這就要求在原有算法的基礎上根據(jù)新工藝的一些特性進行一定的創(chuàng)新和改進。本文從NOR型閃存最基本的寫入機制入手,詳細研究原有算法的每一個步驟,掌握原有算法的關鍵所在,然后通過大量的實驗數(shù)據(jù)得到與65nm工藝相關的一些特性指標,如寫入特性曲線的斜率等,根據(jù)這些新的特性參數(shù)對算法進行調整,使其能適用于65nm的工藝水平。
　　 一個好的算法必須要能通過大規(guī)