已閱讀1頁,還剩47頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領
文檔簡介
1、集成電路產(chǎn)業(yè)已成為進入千家萬戶的、與國民經(jīng)濟、國防建設、國家安全息息相關(guān)的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。中國集成電路市場呈三個問題:規(guī)模大,增長快和外貿(mào)逆差嚴重。在此背景下面對國內(nèi)外的競爭,中芯國際致力于研發(fā)65 nm具有我國自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù),為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展奠定堅實的基礎。本文主要分析和研究了65納米制程產(chǎn)品良率的提升以及所用到的方法。
對于一個新的制程技術(shù)的研發(fā),與通常量產(chǎn)的產(chǎn)品良率提升方式是不同的。在早期的階段,很
2、多工藝整合和隨機微粒缺陷不能被WAT或者線上的檢測defect的機臺檢測到。我們需要根據(jù)不同的時期,找到適合這個時期的新的分析方法。與此同時很多復雜的問題往往同時出現(xiàn),這就需要我們找到合適的方法分析其中單一的主要問題,然后逐一解決其他的問題。所以EFA,PFA,DFA,的分析手段變的尤為重要。本文從三個階段分析了65nm制程產(chǎn)品良率的提升以及失效分析方法。
在產(chǎn)品研發(fā)的初期階段,為了找出工藝上的和器件相關(guān)的問題,而且排除隨
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- CIS失效分析方法及良率的提升.pdf
- 65nm SRAM的設計.pdf
- 65nm先進節(jié)點OPC后續(xù)修補方法的研究.pdf
- 65nm溝槽刻蝕工藝研發(fā).pdf
- 使用失效分析的方法快速提升及保持CSTN LCD驅(qū)動芯片的良率.pdf
- 電源芯片漏電流失效分析及良率提升研究.pdf
- 65nm高性能SRAM體系架構(gòu)及電路實現(xiàn).pdf
- TFT-LCD類顯示驅(qū)動芯片的失效分析及良率提升.pdf
- 基于65nm DDR PHY數(shù)字后端設計方法的研究.pdf
- 基于65nm CMOS工藝的高速SRAM設計.pdf
- 65nm光罩數(shù)據(jù)制備流程的研究.pdf
- 65nm光罩數(shù)據(jù)制備流程的研究
- 基于65nm CMOS的快速響應LDO設計.pdf
- 應用于Cache的65nm高速SRAM設計.pdf
- 65nm NOR型閃存芯片RTS噪聲研究.pdf
- 65nm NOR Flash工藝整合技術(shù)研究.pdf
- 65nm內(nèi)嵌FPGA振蕩器的設計與實現(xiàn)方法的研究.pdf
- 65nm SoC芯片低功耗設計的物理實現(xiàn).pdf
- 基于65nm工藝的256Bit eFuse設計.pdf
- 基于65nm的低功耗設計與等價性驗證.pdf
評論
0/150
提交評論