版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、電源管理芯片是每部移動電子設(shè)備不可或缺的部分,它直接影響著移動電子設(shè)備的功耗和待機(jī)時間。在設(shè)計和制造工藝交互作用下產(chǎn)生的缺陷所造成的漏電流失效是制約電源管理芯片產(chǎn)品良率的主要因素。
在芯片能夠批量上市之前,它首先必須達(dá)到能以可接受的良率(Yield)進(jìn)行批量制造的水平。但從集成電路設(shè)計到工藝制造存在一個良率逐步提升的過程,需要一定的時間。芯片的設(shè)計驗(yàn)證完成時間還要再加上這個良率時間才是真正的產(chǎn)品上市時間,因此良率的快速提升成為
2、集成電路芯片設(shè)計公司打開市場,獲得利潤的迫切要求。
本文選取一款市面在用的移動電子設(shè)備上的電源管理芯片開展漏電流失效分析及良率提升研究。在數(shù)據(jù)分析方面,抽樣出100片晶圓,對它的漏電流針測(Chip Probe,CP)并對采樣數(shù)據(jù)采用累積疊加分布的方式制作分布圖。在電性分析方面,采用4156C(精密半導(dǎo)體參數(shù)分析儀)測量I-V曲線,采用紅外發(fā)光顯微鏡(EmissionMicroscopy,EMMI)和激光誘導(dǎo)電阻率變化測試儀(
3、Optical Beam Induced ResistanceChange,OBIRCH)定位缺陷位置。然后用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy,AFM)和納米探針系統(tǒng)(NanoProbe)分析失效模式。在物理分析方面,采用物理剝層、聚焦離子束顯微鏡(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)、掃描電鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)、缺陷化學(xué)成分分析和電壓襯度(Voltag
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- TFT-LCD類顯示驅(qū)動芯片的失效分析及良率提升.pdf
- CIS失效分析方法及良率的提升.pdf
- 使用失效分析的方法快速提升及保持CSTN LCD驅(qū)動芯片的良率.pdf
- 65nm產(chǎn)品失效分析方法及良率的提升.pdf
- 片上系統(tǒng)芯片(SoC)的CP測試程序優(yōu)化及良率提升.pdf
- 超薄芯片Backend工藝分析及失效研究.pdf
- 片式鉭電容器浪涌電流失效研究.pdf
- 變壓變頻電梯驅(qū)動系統(tǒng)分析及良率提升研究.pdf
- 電氣工程知識耐壓測試泄漏電流與電源泄漏電流有何不同_0
- 電流模式PWM開關(guān)電源芯片的研究.pdf
- 芯片驗(yàn)證測試及失效分析技術(shù)研究.pdf
- 電流模式開關(guān)電源控制芯片設(shè)計.pdf
- DC-DC電源芯片電流保護(hù)及穩(wěn)定性研究.pdf
- 半導(dǎo)體芯片失效分析.pdf
- BCD工藝優(yōu)化與良率提升.pdf
- 失效分析定位技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用以及對產(chǎn)品良率的提升.pdf
- LDO芯片耐壓特性的失效分析及優(yōu)化研究.pdf
- 峰值電流模式BUCK-BOOST電源芯片設(shè)計.pdf
- 3d芯片良率與測試成本研究
- 倒裝芯片錫鉛凸塊良率的提高.pdf
評論
0/150
提交評論