高壓下三元半導體電子結構和光學性質的第一性原理研究
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編號：20190611114202279 類型：共享資源 大?。?span id="55e0500" class="font-tahoma">26.63MB 格式：RAR 上傳時間：2024-01-06
尺寸：148x200像素 分辨率：72dpi 顏色：RGB 工具：
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- 關 鍵 詞：
- 高壓 三元 半導體 電子 結構 光學 性質 第一性 原理 研究
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