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文檔簡(jiǎn)介
1、<p> 晶圓探針卡的分類及設(shè)計(jì)參數(shù)</p><p> 摘 要:晶圓探針卡是半導(dǎo)體在制造晶圓階段的重要測(cè)試分析接口,通過連接測(cè)試機(jī)和芯片傳輸信號(hào)對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。本文在介紹探針卡定義及分類基礎(chǔ)上,詳細(xì)說明探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)。 </p><p> 關(guān)鍵詞:懸臂探針卡;垂直探針卡;分類;設(shè)計(jì)參數(shù) </p><p><b> 1 引言 &l
2、t;/b></p><p> 晶圓探針卡又稱探針卡,英文名稱“Probe card”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試,屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后,會(huì)下單給晶圓代工廠制作,晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際,為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi),須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡與測(cè)試機(jī)構(gòu)成測(cè)試回路,于IC封裝前,以探針針測(cè)晶粒,篩選出電性功能不良的芯片,避免不
3、良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。 </p><p> 隨著半導(dǎo)體制成的快速進(jìn)展,傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限,為滿足高積密度測(cè)試,探針卡類型不斷發(fā)展,本文就介紹探針卡分類及主要設(shè)計(jì)參數(shù)。 </p><p><b> 2 探針卡概述 </b></p><p> 2.1 探針卡定義 </p><p> “探針卡”是一種測(cè)試接
4、口,通過連接測(cè)試機(jī)和芯片傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。探針卡將探針與芯片上的焊墊直接接觸,引出芯片訊號(hào),配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。 </p><p> 3 探針卡發(fā)展概況及種類 </p><p> 隨著晶圓技術(shù)的不斷提升,探針卡的種類不斷更新。最早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為epoxy ring水平式探針卡;薄膜式水平式探針卡;垂直式探針卡;橋接支持構(gòu)件;S
5、O I 形式探針卡。 </p><p> 目前晶圓測(cè)試廠廣泛用于晶圓測(cè)試的探針卡為懸臂及垂直探針卡2種類型。 </p><p> 4 探針卡設(shè)計(jì)參數(shù)及優(yōu)點(diǎn) </p><p> 4.1 探針卡設(shè)計(jì)參數(shù) </p><p> 針位:探針在焊墊上的x,y位置 </p><p> 水平:探針卡上所有探針Z方向最大水平差
6、 </p><p> 接觸電阻:探針表面和焊墊之間的接觸電阻 </p><p> 漏電流:2個(gè)或更多信號(hào)之間產(chǎn)生的漏電電流 </p><p> 針徑參數(shù):針徑,針長(zhǎng),角度,形狀 </p><p> 4.2 懸臂探針卡優(yōu)點(diǎn) </p><p> 懸臂探針卡使用較普及,先將探針按一定角度,長(zhǎng)度彎曲后,再用環(huán)氧樹脂固
7、定,針位較穩(wěn)定。主要優(yōu)點(diǎn): </p><p> 多種探針尺寸,多元探針材質(zhì) </p><p> 擺針形式靈活,單層,多層針均可 </p><p> 造價(jià)低廉,可更換單根探針 </p><p><b> 用于大電流測(cè)試 </b></p><p> 4.3 懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù) <
8、/p><p> 針位:+/-0.25mil </p><p> 水平:+/-0.25mil </p><p> 針壓:2-3g/mil+/-20% </p><p> 漏電流:10nA/5V </p><p> 接觸電阻:3/20mA </p><p> 4.4 垂直探針卡的優(yōu)點(diǎn) <
9、;/p><p> 垂直探針卡能帶來更高的能力及效能,主要優(yōu)點(diǎn): </p><p><b> 多種針尖尺寸 </b></p><p> 高度平行處理,適合Multi-Dut </p><p> 高科技探針材料,高溫測(cè)試 </p><p><b> 高頻率探測(cè)能力 </b>
10、</p><p> 4.5 垂直探針卡的探針類型 </p><p> 垂直探針種類很多,分為Cobra、 Vi-probe、 Apollo、MEMS等多種技術(shù)。 主流探針,探針卡供應(yīng)商有MicroProbe、FEINMETALL、SV Probe、Technoprobe。 </p><p> 4.6 垂直探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù) </p><p
11、> 探針針徑類型、針位、水平、針壓、針長(zhǎng)、漏電流、接觸電阻等。 </p><p> 按垂直探針類型劃分關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù): </p><p><b> 5 結(jié)論 </b></p><p> 探針卡的發(fā)展前景及晶圓高科技設(shè)計(jì)的不斷更新讓人歡欣鼓舞,這代表著科技的不斷進(jìn)步,但我們應(yīng)看到探針卡依然面臨不少挑戰(zhàn),比如探針成本不斷增加,維修更換探
12、針高科技人員的培養(yǎng),通過有效控制測(cè)試機(jī)臺(tái)在線清潔探針的頻率及各種參數(shù)來提高探針卡使用壽命。 </p><p> 總體來講,晶圓探針卡的發(fā)展可謂機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存,需要高科技人員不斷學(xué)習(xí),跟上世界尖端技術(shù)的步伐。 </p><p><b> 參考文獻(xiàn) </b></p><p> [1]黃榮堂,賴文雄. 晶圓級(jí)探針卡簡(jiǎn)介.臺(tái)北科技大學(xué)機(jī)電整合研究
13、所 2010. </p><p> [2]R. Iscoff, ”What’s in the cards for wafer probing,” Semiconduct.Int(June,1994) </p><p> [5] D. Langlois, M. Fardel, K. R. Heiman, and F. Du, Proc. IEEE/SEM Advance Manufact
14、uring Conference, (2003) </p><p> [6] B. Newboe, “The probe card dileman.”Semiconduct.Int(Sept,1992) </p><p> [7]李健,孫兵,《工業(yè)控制計(jì)算機(jī)》2007年 懸臂式環(huán)氧樹脂探針卡的制造 </p><p><b> 作者簡(jiǎn)介 </b&
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